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参数资料
| 型号： | AGR21045EF |
| 厂商： | TRIQUINT SEMICONDUCTOR INC |
| 元件分类： | 功率晶体管 |
| 英文描述： | S BAND, Si, N-CHANNEL, RF POWER, MOSFET |
| 文件页数： | 5/9页 |
| 文件大小： | 390K |
| 代理商： | AGR21045EF |
Data Sheet
AGR21045EF
45 W, 2.110 GHz—2.170 GHz, N-Channel E-Mode, Lateral MOSFET
Typical Performance Characteristics (continued)
Figure 4. Two-Tone Power Gain vs. Output Power and IDQ
Figure 5. IMD3 vs. Output Power and IDQ
11.0
11.5
12.0
12.5
13.0
13.5
14.0
14.5
15.0
15.5
16.0
0.10
1.00
10.00
100.00
OUTPUT POWER (W) PEP
PO
W
ER
GA
IN
(d
B)
S
VDD = 28 Vdc
f1 = 2135 MHz
f2 = 2145 MHz
TWO-TONE
MEASUREMENT
IDQ = 300
IDQ = 350 mA
IDQ = 400 mA
IDQ = 450 mA
IDQ = 500 mA
10 MHz TONE
SPACING
-65.0
-60.0
-55.0
-50.0
-45.0
-40.0
-35.0
-30.0
-25.0
-20.0
0.10
1.00
10.00
100.00
OUTPUT POWER (W) PEP
IM
D3
,T
HI
RD
OR
DE
R
(d
Bc
)
VDD = 28 Vdc
f1 = 2135 MHz
f2 = 2145 MHz
TWO-TONE
MEASUREMENT
IDQ = 300 mA
IDQ = 350 mA
IDQ = 400 mA
IDQ = 450 mA
IDQ = 500 mA
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