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参数资料
| 型号： | ALD1102BPAL |
| 厂商： | Advanced Linear Devices Inc |
| 文件页数： | 3/8页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET 2P-CH 13.2V 16MA 8PDIP |
| 标准包装： | 50 |
| FET 型： | 2 个 P 沟道（双） |
| FET 特点： | 标准 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 13.2V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 16mA |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 270 欧姆 @ 5V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 1.2V @ 10µA |
| 功率 - 最大： | 500mW |
| 安装类型： | 通孔 |
| 封装/外壳： | 8-DIP（0.300"，7.62mm） |
| 供应商设备封装： | 8-PDIP |
| 包装： | 管件 |
TYPICAL PERFORMANCE CHARACTERISTICS
OUTPUT CHARACTERISTICS
4
LOW VOLTAGE OUTPUT
CHARACTERISTICS
-80
-60
V BS = 0V
T A = 25 ° C
V GS = -12V
-10V
2
V BS = 0V
T A = 25 ° C
V GS = -12V
-6V
-4V
-2V
-40
-20
0
-8V
-6V
-4V
-2V
0
-2
-4
0
-2
-4
-6
-8
-10
-12
-320
-160
0
160
320
10000
DRAIN - SOURCE VOLTAGE (V)
FORWARD TRANSCONDUCTANCE
vs. DRAIN - SOURCE VOLTAGE
-20
DRAIN -SOURCE VOLTAGE (mV)
TRANSFER CHARACTERISTIC
WITH SUBSTRATE BIAS
5000
V BS = 0V
f = 1KHz
I DS = -5mA
-15
V BS = 0V
2V
4V
6V
2000
8V
10V
1000
500
T A = +25 ° C
I DS = -1mA
T A = +125 ° C
-10
-5
12V
200
100
0
V GS = V DS
T A = 25 ° C
0
-2
-4
-6
-8
-10
-12
0
-0.8
-1.6
-2.4
-3.2
-4.0
DRAIN - SOURCE VOLTAGE (V)
R DS (ON) vs. GATE - SOURCE VOLTAGE
GATE - SOURCE VOLTAGE (V)
OFF DRAIN - CURRENT vs.
TEMPERATURE
10000
1000
V DS = 0.4V
V BS = 0V
T A = +125 ° C
-10 X 10 -6
V DS = -12V
V GS = V BS = 0V
-10 X 10 -9
100
T A = +25 ° C
10
-10 X 10 -12
0
-2
-4
-6
-8
-10
-12
-50
-25
0
+25
+50
+75
+100 +125
GATE - SOURCE VOLTAGE (V)
TEMPERATURE ( ° C)
ALD1102A/ALD1102B/ALD1102
Advanced Linear Devices
3 of 8
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
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相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
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| ALD1102PAL | 功能描述:MOSFET Dual P-Channel Pair RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
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