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参数资料
| 型号： | ALD1102BPAL |
| 厂商： | Advanced Linear Devices Inc |
| 文件页数： | 7/8页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET 2P-CH 13.2V 16MA 8PDIP |
| 标准包装： | 50 |
| FET 型： | 2 个 P 沟道（双） |
| FET 特点： | 标准 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 13.2V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 16mA |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 270 欧姆 @ 5V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 1.2V @ 10µA |
| 功率 - 最大： | 500mW |
| 安装类型： | 通孔 |
| 封装/外壳： | 8-DIP（0.300"，7.62mm） |
| 供应商设备封装： | 8-PDIP |
| 包装： | 管件 |
PDIP-8 PACKAGE DRAWING
8 Pin Plastic DIP Package
Millimeters
Inches
S
D
E
A2
A
E1
Dim
A
A 1
A 2
b
b 1
c
D-8
E
E 1
e
Min
3.81
0.38
1.27
0.89
0.38
0.20
9.40
5.59
7.62
2.29
Max
5.08
1.27
2.03
1.65
0.51
0.30
11.68
7.11
8.26
2.79
Min
0.105
0.015
0.050
0.035
0.015
0.008
0.370
0.220
0.300
0.090
Max
0.200
0.050
0.080
0.065
0.020
0.012
0.460
0.280
0.325
0.110
b
e
A 1
L
e 1
L
7.37
2.79
7.87
3.81
0.290
0.110
0.310
0.150
S-8
1.02
2.03
0.040
0.080
b 1
?
0 °
15 °
0 °
15 °
c
e 1
?
ALD1102A/ALD1102B/ALD1102
Advanced Linear Devices
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相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| ALD1103PBL | MOSFET 2N+2P 13.2V 14PDIP |
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相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
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| ALD1102DA | 制造商:ALD 制造商全称:Advanced Linear Devices 功能描述:DUAL P-CHANNEL MATCHED MOSFET PAIR |
| ALD1102MA | 制造商:未知厂家 制造商全称:未知厂家 功能描述:TRANSISTOR | MOSFET | MATCHED PAIR | P-CHANNEL | 13.2V V(BR)DSS | TO-99 |
| ALD1102PA | 功能描述:MOSFET Dual P-Channel Pair RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| ALD1102PAL | 功能描述:MOSFET Dual P-Channel Pair RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
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