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参数资料
| 型号： | ALD1102BPAL |
| 厂商： | Advanced Linear Devices Inc |
| 文件页数： | 5/8页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET 2P-CH 13.2V 16MA 8PDIP |
| 标准包装： | 50 |
| FET 型： | 2 个 P 沟道（双） |
| FET 特点： | 标准 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 13.2V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 16mA |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 270 欧姆 @ 5V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 1.2V @ 10µA |
| 功率 - 最大： | 500mW |
| 安装类型： | 通孔 |
| 封装/外壳： | 8-DIP（0.300"，7.62mm） |
| 供应商设备封装： | 8-PDIP |
| 包装： | 管件 |
TYPICAL APPLICATIONS (cont.)
BASIC CURRENT SOURCES
N- CHANNEL CURRENT SOURCE
P- CHANNEL CURRENT SOURCE
V+ = +5V
V+ = +5V
ALD1102,
1/2 ALD1107,
I SOURCE
I SET
R SET
8
or ALD1117
7
Q 2 8
5
6
2
3
Q 1
Q 3
3
2
6
5
Q 4
7
1
I SOURCE
ALD1101,
1/2 ALD1106,
or ALD1116
I SET
R SET
V+ - 1.0 ~
I SOURCE = I SET =
V+ - Vt
R SET
= ~
R SET
=
4
R SET
Q 1, Q 2 : N - Channel MOSFET
Q 3 , Q 4 : P - Channel MOSFET
CASCODE CURRENT SOURCES
I SOURCE
Q 4
Q 2
I SET
V+ = +5V
R SET
Q 3
Q 1
Q 1
Q 3
V+ = +5V
2 x ALD1102
or ALD1107
Q 2
Q 4
2 x ALD1101
or ALD1106
I SET
R SET
I SOURCE
I SOURCE = I SET =
V+ - 2Vt
R SET
= ~
3
R SET
Q 1 , Q 2 , Q 3 , Q 4 : N - Channel MOSFET
(ALD1101 or ALD1103)
Q1, Q2, Q3, Q4: P - Channel MOSFET
(ALD1102 or ALD1103)
ALD1102A/ALD1102B/ALD1102
Advanced Linear Devices
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相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
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相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
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| ALD1102MA | 制造商:未知厂家 制造商全称:未知厂家 功能描述:TRANSISTOR | MOSFET | MATCHED PAIR | P-CHANNEL | 13.2V V(BR)DSS | TO-99 |
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| ALD1102PAL | 功能描述:MOSFET Dual P-Channel Pair RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
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