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参数资料
| 型号： | ALD1102BPAL |
| 厂商： | Advanced Linear Devices Inc |
| 文件页数： | 6/8页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET 2P-CH 13.2V 16MA 8PDIP |
| 标准包装： | 50 |
| FET 型： | 2 个 P 沟道（双） |
| FET 特点： | 标准 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 13.2V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 16mA |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 270 欧姆 @ 5V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 1.2V @ 10µA |
| 功率 - 最大： | 500mW |
| 安装类型： | 通孔 |
| 封装/外壳： | 8-DIP（0.300"，7.62mm） |
| 供应商设备封装： | 8-PDIP |
| 包装： | 管件 |
SOIC-8 PACKAGE DRAWING
8 Pin Plastic SOIC Package
E
Millimeters
Inches
Dim
A
Min
1.35
Max
1.75
Min
0.053
Max
0.069
S (45 ° )
D
A 1
b
C
D-8
E
0.10
0.35
0.18
4.69
3.50
0.25
0.45
0.25
5.00
4.05
0.004
0.014
0.007
0.185
0.140
0.010
0.018
0.010
0.196
0.160
e
1.27 BSC
0.050 BSC
H
5.70
6.30
0.224
0.248
A
L
?
0.60
0 °
0.937
8 °
0.024
0 °
0.037
8 °
e
A 1
S
0.25
0.50
0.010
0.020
b
S (45 ° )
L
H
C
?
ALD1102A/ALD1102B/ALD1102
Advanced Linear Devices
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参数描述 |
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| ALD1102PAL | 功能描述:MOSFET Dual P-Channel Pair RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
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