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参数资料
| 型号： | ALD1105PBL |
| 厂商： | Advanced Linear Devices Inc |
| 文件页数： | 3/9页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET 2N+2P 13.2V 14PDIP |
| 标准包装： | 25 |
| FET 型： | 2 个 N 通道和 2 个 P 通道（H 桥式） |
| FET 特点： | 标准 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 13.2V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 4.8mA，2mA |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 500 欧姆 @ 5V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 1V @ 1µA |
| 功率 - 最大： | 500mW |
| 安装类型： | 通孔 |
| 封装/外壳： | 14-DIP（0.300"，7.62mm） |
| 供应商设备封装： | 14-PDIP |
| 包装： | 管件 |
| 其它名称： | 1014-1010 |
TYPICAL P-CHANNEL PERFORMANCE CHARACTERISTICS
OUTPUT CHARACTERISTICS
500
LOW VOLTAGE OUTPUT
CHARACTERISTICS
-10
-7.5
V BS = 0V
T A = 25 ° C
V GS = -12V
-10V
250
0
V BS = 0V
T A = 25 ° C
V GS = -12V
-6V
-4V
-2V
-5.0
-8V
-6V
-250
-2.5
0
-4V
-2V
-500
0
-2
-4
-6
-8
-10
-12
-320
-160
0
160
320
1.0
DRAIN SOURCE VOLTAGE (V)
FORWARD TRANSCONDUCTANCE
vs. DRAIN SOURCE VOLTAGE
-20
DRAIN SOURCE VOLTAGE (mV)
TRANSFER CHARACTERISTIC
WITH SUBSTRATE BIAS
V BS = 0V
I DS = -5mA
V BS = 0V
0.5
f = 1KHz
-15
2V
4V
6V
0.2
8V
10V
0.1
0.05
T A = +25 ° C
I DS = -1mA
T A = +125 ° C
-10
-5
12V
0.02
0.01
0
V GS = V DS
T A = 25 ° C
0
-2
-4
-6
-8
-10
-12
0
-0.8
-1.6
-2.4
-3.2
-4.0
100
DRAIN SOURCE VOLTAGE (V)
DRAIN SOURCE ON RESISTANCE
R DS (ON) vs. GATE SOURCE VOLTAGE
V DS = 0.4V
V BS = 0V
1000
GATE SOURCE VOLTAGE (V)
OFF DRAIN CURRENT vs.
AMBIENT TEMPERATURE
V DS = -12V
V GS = V BS = 0V
10
1
0.1
T A = +25 ° C
T A = +125 ° C
100
10
1
0
-2
-4
-6
-8
-10
-12
-50
-25
0
+25
+50
+75
+100 +125
GATE SOURCE VOLTAGE (V)
AMBIENT TEMPERATURE ( ° C)
ALD1105
Advanced Linear Devices
3 of 9
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
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相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| ALD1105SB | 制造商:ALD 制造商全称:Advanced Linear Devices 功能描述:DUAL N-CHANNEL AND DUAL P-CHANNEL MATCHED PAIR MOSFET |
| ALD1105SBL | 功能描述:MOSFET Dual P&N-Ch. Pair RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| ALD1106 | 制造商:ALD 制造商全称:Advanced Linear Devices 功能描述:QUAD/DUAL N-CHANNEL MATCHED MOSFET ARRAY |
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