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参数资料
| 型号： | ALD1105PBL |
| 厂商： | Advanced Linear Devices Inc |
| 文件页数： | 7/9页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET 2N+2P 13.2V 14PDIP |
| 标准包装： | 25 |
| FET 型： | 2 个 N 通道和 2 个 P 通道（H 桥式） |
| FET 特点： | 标准 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 13.2V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 4.8mA，2mA |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 500 欧姆 @ 5V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 1V @ 1µA |
| 功率 - 最大： | 500mW |
| 安装类型： | 通孔 |
| 封装/外壳： | 14-DIP（0.300"，7.62mm） |
| 供应商设备封装： | 14-PDIP |
| 包装： | 管件 |
| 其它名称： | 1014-1010 |
SOIC-14 PACKAGE DRAWING
14 Pin Plastic SOIC Package
Millimeters
Inches
S (45 ° )
E
Dim
A
A 1
b
C
D-14
E
Min
1.35
0.10
0.35
0.18
8.55
3.50
Max
1.75
0.25
0.45
0.25
8.75
4.05
Min
0.053
0.004
0.014
0.007
0.336
0.140
Max
0.069
0.010
0.018
0.010
0.345
0.160
e
1.27 BSC
0.050 BSC
D
A
H
L
?
S
5.70
0.60
0 °
0.25
6.30
0.937
8 °
0.50
0.224
0.024
0 °
0.010
0.248
0.037
8 °
0.020
e
S (45 ° )
L
H
b
A 1
C
?
ALD1105
Advanced Linear Devices
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相关PDF资料 |
PDF描述 |
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相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
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