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参数资料
| 型号： | ALD1105PBL |
| 厂商： | Advanced Linear Devices Inc |
| 文件页数： | 4/9页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET 2N+2P 13.2V 14PDIP |
| 标准包装： | 25 |
| FET 型： | 2 个 N 通道和 2 个 P 通道（H 桥式） |
| FET 特点： | 标准 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 13.2V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 4.8mA，2mA |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 500 欧姆 @ 5V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 1V @ 1µA |
| 功率 - 最大： | 500mW |
| 安装类型： | 通孔 |
| 封装/外壳： | 14-DIP（0.300"，7.62mm） |
| 供应商设备封装： | 14-PDIP |
| 包装： | 管件 |
| 其它名称： | 1014-1010 |
TYPICAL N-CHANNEL PERFORMANCE CHARACTERISTICS
OUTPUT CHARACTERISTICS
1000
LOW VOLTAGE OUTPUT
CHARACTERISTICS
20
V BS = 0V
T A = 25 ° C
V GS = 12V
10V
500
V BS = 0V
T A = 25 ° C
V GS = 12V
6V
15
10
5
8V
6V
4V
0
-500
4V
2V
2V
0
-1000
0
2
4
6
8
10
12
-160
-80
0
80
160
20
DRAIN SOURCE VOLTAGE (V)
FORWARD TRANSCONDUCTANCE
vs. DRAIN SOURCE VOLTAGE
20
DRAIN SOURCE VOLTAGE (mV)
TRANSFER CHARACTERISTIC
WITH SUBSTRATE BIAS
10
V BS = 0V
f = 1KHz
I DS = 10mA
15
V GS = V DS
T A = 25 ° C
5
T A = +125 ° C
T A = +25 ° C
V BS = 0V
-2V
-4V
2
1
10
-6V
-8V
-10V
0.5
5
-12V
0.2
I DS = 1mA
0
0
2
4
6
8
10
12
0
0.8
1.6
2.4
3.2
4.0
100
10
1
DRAIN SOURCE VOLTAGE (V)
DRAIN SOURCE ON RESISTANCE
R DS (ON) vs. GATE SOURCE VOLTAGE
V DS = 0.2V
V BS = 0V
T A = +125 ° C
1000
100
10
GATE SOURCE VOLTAGE (V)
OFF DRAIN CURRENT vs.
AMBIENT TEMPERATURE
V DS = +12V
V GS = V BS = 0V
0.1
T A = +25 ° C
1
0
2
4
6
8
10
12
-50
-25
0
+25
+50
+75
+100 +125
GATE SOURCE VOLTAGE (V)
AMBIENT TEMPERATURE ( ° C)
ALD1105
Advanced Linear Devices
4 of 9
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
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相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
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| ALD1105SBL | 功能描述:MOSFET Dual P&N-Ch. Pair RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
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