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参数资料
| 型号： | ALD1105PBL |
| 厂商： | Advanced Linear Devices Inc |
| 文件页数： | 6/9页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET 2N+2P 13.2V 14PDIP |
| 标准包装： | 25 |
| FET 型： | 2 个 N 通道和 2 个 P 通道（H 桥式） |
| FET 特点： | 标准 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 13.2V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 4.8mA，2mA |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 500 欧姆 @ 5V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 1V @ 1µA |
| 功率 - 最大： | 500mW |
| 安装类型： | 通孔 |
| 封装/外壳： | 14-DIP（0.300"，7.62mm） |
| 供应商设备封装： | 14-PDIP |
| 包装： | 管件 |
| 其它名称： | 1014-1010 |
TYPICAL APPLICATIONS (cont.)
BASIC CURRENT SOURCES
N-CHANNEL CURRENT SOURCE
V+ = +5V
P-CHANNEL CURRENT SOURCE
V+ = +5V
I SOURCE
I SET
R SET
1/2 ALD1105
Q 2
Q 1
Q 3
Q 4
I SOURCE
1/2 ALD1105
I SET
R SET
I SOURCE = I SET =
V+ - Vt
R SET
~ = V+ - 1.0 = ~
R SET
4
R SET
Q 1, Q 2 : N - Channel MOSFET
Q 3 , Q 4 : P - Channel MOSFET
CASCODE CURRENT SOURCES
V+ = +5V
V+ = +5V
I SET
R SET
I SOURCE
Q 4
Q 2
Q 3
Q 1
Q 1
Q 3
Q 2
Q 4
I SET
R SET
I SOURCE
I SOURCE = I SET =
V+ - 2Vt
R SET
~ =
3
R SET
Q 1 , Q 2 , Q 3 , Q 4 : N - Channel MOSFET
(1/2 ALD1105 + ALD1116)
Q1, Q2, Q3, Q4: P - Channel MOSFET
(1/2 ALD1105 + ALD1117)
ALD1105
Advanced Linear Devices
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相关PDF资料 |
PDF描述 |
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相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
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| ALD1105SBL | 功能描述:MOSFET Dual P&N-Ch. Pair RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
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