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参数资料
| 型号： | ALD1115MAL |
| 厂商： | Advanced Linear Devices Inc |
| 文件页数： | 5/8页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N/P-CH 13.2V 8MSOP |
| 标准包装： | 50 |
| FET 型： | N 和 P 沟道 |
| FET 特点： | 标准 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 13.2V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 4.8mA，2mA |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 500 欧姆 @ 5V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 1V @ 1µA |
| 功率 - 最大： | 500mW |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | 8-TSSOP，8-MSOP（0.118"，3.00mm 宽） |
| 供应商设备封装： | 8-MSOP |
| 包装： | 管件 |
TYPICAL APPLICATIONS
CURRENT SOURCE MIRROR
V+ = +5V
V+ = +5V
CURRENT SOURCE WITH GATE CONTROL
V+ = +5V
I SET
R SET
Q 3
Q 4
Q 3
Q 4
I SOURCE
I SET
R SET
I SOURCE
Digital Logic Control
of Current Source
Q 1
Q 2
I SOURCE = I SET
ON
Q 1
= V+ -Vt
= 4
~
R SET
OFF
Q 1 , Q 2 : N - Channel MOSFET
Q 3 , Q 4 : P - Channel MOSFET
R SET
Q 1 : N - Channel MOSFET
Q 3, Q 4 : P - Channel MOSFET
CMOS INVERTER
V+
IN
CMOS ANALOG SWITCH
CONTROL
OUT
ALD1115
IN
OUT
Advanced Linear Devices
V+
CONTROL
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相关PDF资料 |
PDF描述 |
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相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
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| ALD1115PA | 制造商:ALD 制造商全称:Advanced Linear Devices 功能描述:COMPLEMENTARY N-CHANNEL AND P-CHANNEL MOSFET |
| ALD1115PAL | 功能描述:MOSFET Comp N-Channel & P-Channel RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| ALD1115SA | 制造商:ALD 制造商全称:Advanced Linear Devices 功能描述:COMPLEMENTARY N-CHANNEL AND P-CHANNEL MOSFET |
| ALD1115SAL | 功能描述:MOSFET Comp N-Channel & P-Channel RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| ALD1116 | 制造商:ALD 制造商全称:Advanced Linear Devices 功能描述:DUAL N-CHANNEL AND DUAL P-CHANNEL MATCHED PAIR MOSFET |
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