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参数资料
| 型号： | ALD1115MAL |
| 厂商： | Advanced Linear Devices Inc |
| 文件页数： | 6/8页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N/P-CH 13.2V 8MSOP |
| 标准包装： | 50 |
| FET 型： | N 和 P 沟道 |
| FET 特点： | 标准 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 13.2V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 4.8mA，2mA |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 500 欧姆 @ 5V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 1V @ 1µA |
| 功率 - 最大： | 500mW |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | 8-TSSOP，8-MSOP（0.118"，3.00mm 宽） |
| 供应商设备封装： | 8-MSOP |
| 包装： | 管件 |
TYPICAL APPLICATIONS (cont.)
DIODE-CONNECTED CONFIGURATION
SOURCE FOLLOWER
V +
V +
R
IN
V+
V OUT = V + - V DS
V OUT = V DS
RA
RB
OUT
R
CASCODE CURRENT SOURCES
V+ = +5V
V+ = +5V
I SET
R SET
I SOURCE
Q 4
Q 2
Q 3
Q 1
Q 1
Q 3
Q 2
Q 4
I SET
R SET
I SOURCE
I SOURCE = I SET =
V+ - 2Vt
R SET
~ =
3
R SET
Q 1 , Q 2 , Q 3 , Q 4 : N - Channel MOSFET
(1/2 ALD1105 ALD1116)
Q1, Q2, Q3, Q4: P - Channel MOSFET
ALD1115
Advanced Linear Devices
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相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
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相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| ALD1115PA | 制造商:ALD 制造商全称:Advanced Linear Devices 功能描述:COMPLEMENTARY N-CHANNEL AND P-CHANNEL MOSFET |
| ALD1115PAL | 功能描述:MOSFET Comp N-Channel & P-Channel RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| ALD1115SA | 制造商:ALD 制造商全称:Advanced Linear Devices 功能描述:COMPLEMENTARY N-CHANNEL AND P-CHANNEL MOSFET |
| ALD1115SAL | 功能描述:MOSFET Comp N-Channel & P-Channel RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| ALD1116 | 制造商:ALD 制造商全称:Advanced Linear Devices 功能描述:DUAL N-CHANNEL AND DUAL P-CHANNEL MATCHED PAIR MOSFET |
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