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参数资料
| 型号： | AM1821-010 |
| 厂商： | MICROSEMI CORP |
| 元件分类： | 功率晶体管 |
| 英文描述： | L BAND, Si, NPN, RF POWER TRANSISTOR |
| 封装： | S042 |
| 文件页数： | 1/1页 |
| 文件大小： | 55K |
| 代理商： | AM1821-010 |
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
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| AM81719-040 | L BAND, Si, NPN, RF POWER TRANSISTOR |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| AM1821-3 | 制造商:ASI 制造商全称:ASI 功能描述:NPN RF POWER TRANSISTOR |
| AM-182PIN | 制造商:MA-COM 制造商全称:M/A-COM Technology Solutions, Inc. 功能描述:Cascadable Thin Film Amplifier, 28 dB Gain, 5 - 1000 MHz |
| AM-182-PIN | 功能描述:射频放大器 5-1000MHz NF: 4.5dB VSWR 2.0:1 RoHS:否 制造商:Skyworks Solutions, Inc. 类型:Low Noise Amplifier 工作频率:2.3 GHz to 2.8 GHz P1dB:18.5 dBm 输出截获点:37.5 dBm 功率增益类型:32 dB 噪声系数:0.85 dB 工作电源电压:5 V 电源电流:125 mA 测试频率:2.6 GHz 最大工作温度:+ 85 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:QFN-16 封装:Reel |
| AM183 | 制造商:未知厂家 制造商全称:未知厂家 功能描述:Analog IC |
| AM-183 | 制造商:MA-COM 制造商全称:M/A-COM Technology Solutions, Inc. 功能描述:Cascadable Thin Film Amplifier 28.5 dB Gain, 10 - 1000 MHz |
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