参数资料
型号: AO4433
厂商: ALPHA AND OMEGA SEMICONDUCTOR
元件分类: 小信号晶体管
英文描述: 30 V, P-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, MOSFET
封装: GREEN, SOIC-8
文件页数: 1/5页
文件大小: 184K
代理商: AO4433
Symbol
VDS
VGS
IDM
IAR
EAR
TJ, TSTG
Symbol
Typ
Max
28
40
54
75
RθJL
21
30
W
Maximum Junction-to-Lead
C
Steady-State
°C/W
Thermal Characteristics
Parameter
Units
Maximum Junction-to-Ambient
AF
t ≤ 10s
RθJA
°C/W
Maximum Junction-to-Ambient
A
Steady-State
°C/W
±25
Gate-Source Voltage
Drain-Source Voltage
-30
Continuous Drain
Current
AF
Maximum
Units
Parameter
TA=25°C
TA=70°C
Absolute Maximum Ratings TA=25°C unless otherwise noted
V
-9.7
-50
Pulsed Drain Current
B
Power Dissipation
A
TA=25°C
Junction and Storage Temperature Range
A
PD
°C
3
2.1
-55 to 150
TA=70°C
ID
-11
Avalanche Current
B
-36
A
Repetitive avalanche energy 0.1mH
B
65
mJ
AO4433
30V P-Channel MOSFET
Product Summary
VDS (V) = -30V
ID = -11 A
(VGS = -20V)
RDS(ON) < 14m (VGS = -20V)
RDS(ON) < 18m (VGS = -10V)
RDS(ON) < 36m (VGS= -5V)
ESD Protected
100% UIS Tested
100% Rg Tested
General Description
The AO4433 uses advanced trench technology to
provide excellent RDS(ON) and ultra-low low gate charge
with a 25V gate rating. This device is suitable for use
as a load switch or in PWM applications.
SOIC-8
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D
S
G
S
G
D
Alpha & Omega Semiconductor, Ltd.
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