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参数资料
| 型号： | AO4433 |
| 厂商： | ALPHA AND OMEGA SEMICONDUCTOR |
| 元件分类： | 小信号晶体管 |
| 英文描述： | 30 V, P-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, MOSFET |
| 封装： | GREEN, SOIC-8 |
| 文件页数： | 4/5页 |
| 文件大小： | 184K |
| 代理商： | AO4433 |
AO4433
TYPICAL ELECTRICAL AND THERMAL CHARACTERISTICS
0
2
4
6
8
10
0
5
10
15
20
25
30
35
-Qg (nC)
Figure 7: Gate-Charge Characteristics
-V
G
S
(V
o
lt
s
)
0
500
1000
1500
2000
2500
0
5
10
15
20
25
30
-VDS (Volts)
Figure 8: Capacitance Characteristics
C
a
p
a
c
it
a
n
c
e
(p
F
)
Ciss
1
10
100
1000
0.00001
0.001
0.1
10
1000
Pulse Width (s)
Figure 10: Single Pulse Power Rating Junction-to-Ambient (Note E)
P
o
w
e
r
(W
)
0.01
0.1
1
10
0.00001
0.0001
0.001
0.01
0.1
1
10
100
1000
Pulse Width (s)
Figure 11: Normalized Maximum Transient Thermal Impedance
Z
θθθθJ
A
N
o
rm
a
li
z
e
d
T
ra
n
s
ie
n
t
T
h
e
rm
a
l
R
e
s
is
ta
n
c
e
Coss
Crss
0.1
1.0
10.0
100.0
0.1
1
10
100
-VDS (Volts)
-I
D
(A
m
p
s
)
Figure 9: Maximum Forward Biased Safe
Operating Area (Note E)
100
s
10ms
1ms
0.1s
1s
10s
DC
RDS(ON)
limited
TJ(Max)=150°C
TA=25°C
VDS=-15V
ID=-11A
Single Pulse
D=Ton/T
TJ,PK=TA+PDM.ZθJA.RθJA
RθJA=75°C/W
Ton
T
PD
In descending order
D=0.5, 0.3, 0.1, 0.05, 0.02, 0.01, single pulse
TJ(Max)=150°C
TA=25°C
10
s
Alpha & Omega Semiconductor, Ltd.
www.aosmd.com
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PDF描述 |
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