参数资料
型号: AO4438
厂商: Alpha & Omega Semiconductor Inc
文件页数: 4/4页
文件大小: 0K
描述: MOSFET N-CH 60V 8.2A 8-SOIC
产品目录绘图: 8-SOIC
其它图纸: AO4xxx Series 8-SOIC Top
AO4xxx Series 8-SOIC End
AO4xxx Series 8-SOIC Side
标准包装: 1
FET 型: MOSFET N 通道,金属氧化物
FET 特点: 逻辑电平门
漏极至源极电压(Vdss): 60V
电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C: 8.2A
开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C: 22 毫欧 @ 8.2A,10V
Id 时的 Vgs(th)(最大): 3V @ 250µA
闸电荷(Qg) @ Vgs: 58nC @ 10V
输入电容 (Ciss) @ Vds: 2300pF @ 30V
功率 - 最大: 3.1W
安装类型: 表面贴装
封装/外壳: 8-SOIC(0.154",3.90mm 宽)
供应商设备封装: 8-SOIC
包装: 标准包装
产品目录页面: 1667 (CN2011-ZH PDF)
其它名称: 785-1032-6
AO4438
TYPICAL ELECTRICAL AND THERMAL CHARACTERISTICS: N-CHANNEL
10
V DS =30V
3500
8
6
4
I D =8.2A
3000
2500
2000
1500
C iss
C oss
1000
2
0
500
0
C rss
0
10
20 30 40
50
0
5
10 15 20 25
30
100.0
Q g (nC)
Figure 7: Gate-Charge Characteristics
40
V DS (Volts)
Figure 8: Capacitance Characteristics
T J(Max) =150 ° C
10.0
R DS(ON)
limited
100 μ s
1ms
10 μ s
30
T A =25 ° C
1s
10ms
0.1s
20
1.0
0.1
T J(Max) =150 ° C
T A =25 ° C
10s
DC
10
0
0.1
1
V DS (Volts)
10
100
0.001
0.01 0.1 1 10 100 1000
Pulse Width (s)
Figure 10: Single Pulse Power Rating Junction-to-
Figure 9: Maximum Forward Biased Safe
Operating Area (Note E)
Ambient (Note E)
10
1
0.1
D=T on /T
T J,PK =T A +P DM .Z θ JA .R θ JA
R θ JA =40 ° C/W
In descending order
D=0.5, 0.3, 0.1, 0.05, 0.02, 0.01, single pulse
P D
0.01
Single Pulse
T on
T
0.00001
0.0001
0.001
0.01 0.1 1 10
100
1000
Pulse Width (s)
Figure 11: Normalized Maximum Transient Thermal Impedance
Rev.5. 0: August 2013
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