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参数资料
| 型号： | AO4447A |
| 厂商： | Alpha & Omega Semiconductor Inc |
| 文件页数： | 1/5页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET P-CH 30V 17A 8-SOIC |
| 产品目录绘图： | 8-SOIC |
| 标准包装： | 1 |
| FET 型： | MOSFET P 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 逻辑电平门 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 30V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 17A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 7 毫欧 @ 17A，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 1.6V @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 105nC @ 10V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 5500pF @ 15V |
| 功率 - 最大： | 3.1W |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | 8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） |
| 供应商设备封装： | 8-SOIC |
| 包装： | 标准包装 |
| 其它名称： | 785-1198-6 |
AO4447A
30V P-Channel MOSFET
General Description
Product Summary
? The AO4447A uses advanced trench technology to
provide excellent R DS(ON) with low gate charge.This
device is ideal for load switch and battery protection
applications.
V DS
I D (at V GS = -10V)
R DS(ON) (at V GS = -10V)
R DS(ON) (at V GS = -4.5V)
R DS(ON) (at V GS = -4V)
-30V
-17A
< 7m
< 8m
< 9m
? RoHS and Halogen-Free Compliant
ESD Protected
100% UIS Tested
100% Rg Tested
SOIC-8
Top View
D
D
Bottom View
D
D
D
G
G
Rg
S
S
S
S
Absolute Maximum Ratings T J =25°C unless otherwise noted
Parameter
Drain-Source Voltage
Gate-Source Voltage
Continuous Drain
T A =25°C
Symbol
V DS
V GS
Maximum
-30
±20
-17
Units
V
V
Current
Pulsed Drain Current
Power Dissipation B
T A =70°C
C
T A =25°C
T A =70°C
I D
I DM
P D
-13
-160
3.1
2.0
A
W
Junction and Storage Temperature Range
T J , T STG
-55 to 150
°C
Parameter
Symbol
Typ
Max
Units
Maximum Junction-to-Ambient A
Maximum Junction-to-Ambient AD
Maximum Junction-to-Lead
t ≤ 10s
Steady State
Steady State
R θ JA
R θ JL
31
59
16
40
75
24
°C/W
°C/W
°C/W
Rev.2.0: June 2013
www.aosmd.com
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相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
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相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
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