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参数资料
| 型号： | AO4447A |
| 厂商： | Alpha & Omega Semiconductor Inc |
| 文件页数： | 4/5页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET P-CH 30V 17A 8-SOIC |
| 产品目录绘图： | 8-SOIC |
| 标准包装： | 1 |
| FET 型： | MOSFET P 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 逻辑电平门 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 30V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 17A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 7 毫欧 @ 17A，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 1.6V @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 105nC @ 10V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 5500pF @ 15V |
| 功率 - 最大： | 3.1W |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | 8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） |
| 供应商设备封装： | 8-SOIC |
| 包装： | 标准包装 |
| 其它名称： | 785-1198-6 |
AO4447A
TYPICAL ELECTRICAL AND THERMAL CHARACTERISTICS
7000
10
6000
8
V DS =-15V
I D = -17A
5000
C iss
4000
6
3000
4
2
2000
1000
0
C rss
C oss
0
0
20
40
60
80
100
0
5
10
15
20
25
30
1000
Q g (nC)
Figure 7: Gate-Charge Characteristics
10000
-V DS (Volts)
Figure 8: Capacitance Characteristics
T J(Max) =150 ° C
100
10
R DS(ON)
limited
10 μ s
1ms
1000
T A =25 ° C
10ms
100
1
DC
100ms
10
0.1
T J(Max) =150 ° C
T A =25 ° C
10s
0.01
0.01
0.1
1
I F =-6.5A, dI/dt=100A/ μ s
10 100
1
0.00001
0.001
0.1
10
1000
-V DS (Volts)
Figure 9: Maximum Forward Biased Safe
Operating Area (Note F)
Pulse Width (s)
Figure 10: Single Pulse Power Rating Junction-to-
Ambient (Note F)
10
1
D=T on /T
T J,PK =T A +P DM .Z θ JA .R θ JA
R θ JA =75 ° C/W
In descending order
D=0.5, 0.3, 0.1, 0.05, 0.02, 0.01, single pulse
0.1
P
0.01
THIS PRODUCT HAS BEEN DESIGNED AND QUALIFIED FOR THE CONSUMER MARKET. APPLICATIONS OR USES AS CRITICAL
COMPONENTS IN LIFE SUPPORT DEVICES OR SYSTEMS ARE NOT AUTHORIZED. AOS DOES NOT ASSUME ANY LIABILITY ARISING
OUT OF SUCH APPLICATIONS OR USES OF ITS PRODUCTS. AOS RESERVES THE RIGHT TO IMPROVE PRODUCT DESIGN,
FUNCTIONS AND RELIABILITY WITHOUT NOTICE. Single Pulse
0.001
T on
T
0.00001
0.0001
0.001
0.01 0.1 1 10
100
1000
Pulse Width (s)
Figure 11: Normalized Maximum Transient Thermal Impedance(Note F)
Rev.2.0: June 2013
www.aosmd.com
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PDF描述 |
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相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
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