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参数资料
| 型号： | AO4447A |
| 厂商： | Alpha & Omega Semiconductor Inc |
| 文件页数： | 3/5页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET P-CH 30V 17A 8-SOIC |
| 产品目录绘图： | 8-SOIC |
| 标准包装： | 1 |
| FET 型： | MOSFET P 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 逻辑电平门 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 30V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 17A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 7 毫欧 @ 17A，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 1.6V @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 105nC @ 10V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 5500pF @ 15V |
| 功率 - 最大： | 3.1W |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | 8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） |
| 供应商设备封装： | 8-SOIC |
| 包装： | 标准包装 |
| 其它名称： | 785-1198-6 |
AO4447A
TYPICAL ELECTRICAL AND THERMAL CHARACTERISTICS
160
100
140
120
-10V
-4.5V
-4V
-3.5V
80
V DS =-5V
100
80
60
-3V
60
40
40
20
0
V GS = -2.5V
20
0
125 ° C
25 ° C
0
1
2
3
4
5
0
1
2
3
4
10
-V DS (Volts)
Figure 1: On-Region Characteristics(Note E)
1.8
-V GS (Volts)
Figure 2: Transfer Characteristics(Note E)
8
V GS =-4V
1.6
V GS = -10V
I D = -17A
1.4
6
4
V GS =-4.5V
V GS =-10V
1.2
V GS = -4.5V
I D = -15A
1.0
2
0
5
10
15
20 25 30
I F =-6.5A, dI/dt=100A/ μ s
0.8
0
25
50
75
100
125
150
20
-I D (A)
Figure 3: On-Resistance vs. Drain Current and
Gate Voltage(Note E)
1E+02
Temperature (°C)
Figure 4: On-Resistance vs. Junction
Temperature(Note E)
16
I D = -17A
1E+01
125 ° C
1E-03
OUT OF SUCH APPLICATIONS OR USES OF 25 ° PRODUCTS. AOS RESERVES THE RIGHT TO IMPROVE ° C
25 PRODUCT DESIGN,
1E+00
12
1E-01
125 °
8 1E-02
THIS PRODUCT HAS BEEN DESIGNED AND QUALIFIED FOR THE CONSUMER MARKET. APPLICATIONS OR USES AS CRITICAL
COMPONENTS IN LIFE SUPPORT DEVICES OR SYSTEMS ARE NOT AUTHORIZED. AOS DOES NOT ASSUME ANY LIABILITY ARISING
4
ITS
FUNCTIONS AND RELIABILITY WITHOUT NOTICE.
0
2 4 6 8 10
-V GS (Volts)
Figure 5: On-Resistance vs. Gate-Source
Voltage(Note E)
1E-04
1E-05
0.0 0.2 0.4 0.6 0.8 1.0
-V SD (Volts)
Figure 6: Body-Diode Characteristics(Note E)
Rev.2.0: June 2013
www.aosmd.com
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PDF描述 |
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参数描述 |
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