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参数资料
| 型号： | AO4447A |
| 厂商： | Alpha & Omega Semiconductor Inc |
| 文件页数： | 5/5页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET P-CH 30V 17A 8-SOIC |
| 产品目录绘图： | 8-SOIC |
| 标准包装： | 1 |
| FET 型： | MOSFET P 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 逻辑电平门 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 30V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 17A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 7 毫欧 @ 17A，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 1.6V @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 105nC @ 10V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 5500pF @ 15V |
| 功率 - 最大： | 3.1W |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | 8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） |
| 供应商设备封装： | 8-SOIC |
| 包装： | 标准包装 |
| 其它名称： | 785-1198-6 |
AO4447A
Gate Charge Test Circuit & Waveform
Vgs
Qg
-10V
VDC
VDC
Vds
Qgs
Qgd
DUT
Vgs
Ig
Charge
Resistive Switching Test Circuit & Waveforms
RL
Vds
t on
t off
Vgs
t d(on)
t r
t d(off)
t f
Vgs
DUT
VDC
Vdd
90%
Rg
Vgs
Vds +
DUT
Vds
Diode Recovery Test Circuit & Waveforms
Q rr = - Idt
Vgs
10%
Vds -
Ig
Isd
Vgs
L
VDC + Vdd
-
-Isd
-Vds
-I F
dI/dt
-I RM
t rr
Vdd
Rev.2.0: June 2013
www.aosmd.com
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PDF描述 |
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相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
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