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参数资料
| 型号： | AO5803E |
| 厂商： | Alpha & Omega Semiconductor Inc |
| 文件页数： | 1/5页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET 2P-CH 20V 0.6A SC89-6L |
| 标准包装： | 3,000 |
| FET 型： | 2 个 P 沟道（双） |
| FET 特点： | 逻辑电平门 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 20V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 600mA |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 800 毫欧 @ 600mA，4.5V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 900mV @ 250µA |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 100pF @ 10V |
| 功率 - 最大： | 400mW |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | SOT-563，SOT-666 |
| 供应商设备封装： | SC-89-6 |
| 包装： | 带卷 (TR) |
AO5803E
Dual P-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor
General Description
The AO5803E/L uses advanced trench technology to
provide excellent R DS(ON) , low gate charge, and
operation with gate voltages as low as 1.8V, in the
small SC89-6L footprint. It can be used as load
switching, and wide variety of FET applications.
AO5803E and AO5803EL are electrically identical.
-RoHS compliant
-AO5803EL is Halogen Free
Features
V DS (V) = -20V
I D = -0.6A (V GS = -4.5V)
R DS(ON) < 0.8 ? (V GS = -4.5V)
R DS(ON) < 1.0 ? (V GS = -2.5V)
R DS(ON) < 1.25 ? (V GS = -1.8V)
ESD PROTECTED
S1
SC-89-6
D1
D2
G1
D2
D1
G1
G2
S2
G2
S1
S2
Absolute Maximum Ratings T A =25°C unless otherwise noted
Parameter
Drain-Source Voltage
Gate-Source Voltage
Continuous Drain
T A =25°C
Symbol
V DS
V GS
Maximum
-20
±8
-0.6
Units
V
V
Current A, F
Pulsed Drain Current B
T A =70°C
I D
I DM
-0.4
-3
A
Power Dissipation
A
T A =25°C
T A =70°C
P D
0.4
0.24
W
Junction and Storage Temperature Range
T J , T STG
-55 to 150
°C
Thermal Characteristics
Parameter
Symbol
Typ
Max
Units
Maximum Junction-to-Ambient A
Maximum Junction-to-Ambient A
Maximum Junction-to-Lead C
t ≤ 10s
Steady-State
Steady-State
R θ JA
R θ JL
275
360
300
330
450
350
°C/W
°C/W
°C/W
Alpha & Omega Semiconductor, Ltd.
www.aosmd.com
相关PDF资料 |
PDF描述 |
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相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
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| AO6401 | 制造商:AOS 功能描述:MOSFET |
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