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参数资料
| 型号： | AO5803E |
| 厂商： | Alpha & Omega Semiconductor Inc |
| 文件页数： | 2/5页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET 2P-CH 20V 0.6A SC89-6L |
| 标准包装： | 3,000 |
| FET 型： | 2 个 P 沟道（双） |
| FET 特点： | 逻辑电平门 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 20V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 600mA |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 800 毫欧 @ 600mA，4.5V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 900mV @ 250µA |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 100pF @ 10V |
| 功率 - 最大： | 400mW |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | SOT-563，SOT-666 |
| 供应商设备封装： | SC-89-6 |
| 包装： | 带卷 (TR) |
AO5803E
Electrical Characteristics (T J =25°C unless otherwise noted)
Symbol
Parameter
Conditions
Min
Typ
Max
Units
STATIC PARAMETERS
BV DSS
Drain-Source Breakdown Voltage
I D =-250 μ A, V GS =0V
-20
V
I DSS
I GSS
Zero Gate Voltage Drain Current
Gate-Body leakage current
V DS =-20V, V GS =0V
V DS =0V, V GS =±4.5V
T J =55°C
-1
-5
±1
μ A
μ A
V GS(th)
I D(ON)
R DS(ON)
Gate Threshold Voltage
On state drain current
Static Drain-Source On-Resistance
V DS =V GS I D =-250 μ A
V GS =-4.5V, V DS =-5V
V GS =-4.5V, I D =-0.6A
V GS =-2.5V, I D =-0.5A
T J =125°C
-0.4
-3
-0.5
0.62
0.87
0.79
-0.9
0.8
1.1
1
V
A
?
?
V GS =-1.8V, I D =-0.4A
0.96
1.25
?
g FS
Forward Transconductance
V DS =-5V, I D =-0.6A
0.9
S
V SD
Diode Forward Voltage
I S =-0.1A,V GS =0V
-0.81
-1
V
I S
Maximum Body-Diode Continuous Current
-0.5
A
DYNAMIC PARAMETERS
C iss
Input Capacitance
72
100
pF
C oss
C rss
Output Capacitance
Reverse Transfer Capacitance
V GS =0V, V DS =-10V, f=1MHz
17
9
pF
pF
SWITCHING PARAMETERS
t D(on)
Turn-On DelayTime
60.5
ns
t r
t D(off)
t f
Turn-On Rise Time
Turn-Off DelayTime
Turn-Off Fall Time
V GS =-4.5V, V DS =-10V, R L =16.7 ? ,
R GEN =3 ?
150
612
436
ns
ns
ns
t rr
Body Diode Reverse Recovery Time
I F =-0.6A, dI/dt=100A/ μ s, V GS =-9V
27
35
ns
Q rr
Body Diode Reverse Recovery Charge I F =-0.6A, dI/dt=100A/ μ s, V GS =-9V
8.3
nC
A: The value of R θ JA is measured with the device mounted on 1in 2 FR-4 board with 2oz. Copper, in a still air environment with T A =25°C. The
value in any given application depends on the user's specific board design.
B: Repetitive rating, pulse width limited by junction temperature.
C. The R θ JA is the sum of the thermal impedence from junction to lead R θ JL and lead to ambient.
D. The static characteristics in Figures 1 to 6 are obtained using <300 μ s pulses, duty cycle 0.5% max.
E. These tests are performed with the device mounted on 1 in 2 FR-4 board with 2oz. Copper, in a still air environment with T A =25°C. The SOA
curve provides a single pulse rating.
F. The current rating is based on the t ≤ 10s thermal resistance rating.
Rev 4: July 2011
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Alpha & Omega Semiconductor, Ltd.
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参数描述 |
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