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参数资料
| 型号： | AO5803E |
| 厂商： | Alpha & Omega Semiconductor Inc |
| 文件页数： | 3/5页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET 2P-CH 20V 0.6A SC89-6L |
| 标准包装： | 3,000 |
| FET 型： | 2 个 P 沟道（双） |
| FET 特点： | 逻辑电平门 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 20V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 600mA |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 800 毫欧 @ 600mA，4.5V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 900mV @ 250µA |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 100pF @ 10V |
| 功率 - 最大： | 400mW |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | SOT-563，SOT-666 |
| 供应商设备封装： | SC-89-6 |
| 包装： | 带卷 (TR) |
AO5803E
TYPICAL ELECTRICAL AND THERMAL CHARACTERISTICS
5
3
4
-4V
-4.5V
-6V
-10V
V DS =-5V
-40°C
25°C
3
2
-3.5V
-3V
-2.5V
2
1
125°C
1
V GS =-2.0V
0
0
0
1
2
3
4
5
0
1
2
3
4
5
1.3
1.2
-V DS (Volts)
Figure 1: On-Region Characteristics
1.60E+00
-V GS (Volts)
Figure 2: Transfer Characteristics
V GS =-1.8V
1.1
1
0.9
0.8
V GS =-1.8V
V GS =-2.5V
1.40E+00
1.20E+00
1.00E+00
ID=-0.4A
V GS =-2.5V
V GS =-4.5V
ID=-0.6A
ID=-0.5A
0.7
0.6
0.5
V GS =-4.5V
8.00E-01
6.00E-01
0
0.5
1
1.5
2
2.5
3
-50 -25
0
25
50
75 100 125 150 175
1.2
-I D (A)
Figure 3: On-Resistance vs. Drain Current and
Gate Voltage
1.0E+00
Temperature (°C)
Figure 4: On-Resistance vs. Junction
Temperature
1.1
I D =-0.6A
1.0E-01
1
0.9
0.8
0.7
0.6
0.5
25°C
125°C
1.0E-02
1.0E-03
1.0E-04
1.0E-05
1.0E-06
125°C
25°C
-40°C
0
2
4
6
8
10
0.0
0.4
0.8
1.2
-V GS (Volts)
Figure 5: On-Resistance vs. Gate-Source Voltage
Alpha & Omega Semiconductor, Ltd.
-V SD (Volts)
Figure 6: Body-Diode Characteristics
www.aosmd.com
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PDF描述 |
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参数描述 |
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