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参数资料
| 型号： | AO5803E |
| 厂商： | Alpha & Omega Semiconductor Inc |
| 文件页数： | 5/5页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET 2P-CH 20V 0.6A SC89-6L |
| 标准包装： | 3,000 |
| FET 型： | 2 个 P 沟道（双） |
| FET 特点： | 逻辑电平门 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 20V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 600mA |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 800 毫欧 @ 600mA，4.5V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 900mV @ 250µA |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 100pF @ 10V |
| 功率 - 最大： | 400mW |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | SOT-563，SOT-666 |
| 供应商设备封装： | SC-89-6 |
| 包装： | 带卷 (TR) |
AO5803E
Gate Charge Test Circuit & Waveform
Vgs
Qg
-10V
VDC
VDC
Vds
Qgs
Qgd
DUT
Vgs
Ig
Charge
Resistive Switching Test Circuit & Waveforms
RL
Vds
t on
t off
Vgs
t d(on)
t r
t d(off)
t f
Vgs
DUT
VDC
Vdd
90%
Rg
Vgs
Vds +
DUT
Vds
Diode Recovery Test Circuit & Waveforms
Q rr = - Idt
Vgs
10%
Vds -
Ig
Isd
Vgs
L
VDC + Vdd
-
-Isd
-Vds
-I F
dI/dt
-I RM
t rr
Vdd
Alpha & Omega Semiconductor, Ltd.
www.aosmd.com
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PDF描述 |
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相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
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