| 型号: | AO4604 |
| 厂商: | ALPHA |
| 英文描述: | Complementary Enhancement Mode Field Effect Transistor |
| 中文描述: | 增强模式互补场效应晶体管 |
| 文件页数: | 1/9页 |
| 文件大小: | 825K |
| 代理商: | AO4604 |

相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| AO4606 | LJT 55C 55#22D PIN RECP |
| AO4607 | Complementary Enhancement Mode Field Effect Transistor |
| AO4607L | Complementary Enhancement Mode Field Effect Transistor |
| AO4610 | Complementary Enhancement Mode Field Effect Transistor |
| AO4610L | Complementary Enhancement Mode Field Effect Transistor |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| AO4604_09 | 制造商:AOSMD 制造商全称:Alpha & Omega Semiconductors 功能描述:Complementary Enhancement Mode Field Effect Transistor |
| AO4606 | 制造商:AOS 功能描述:MOSFET |
| AO4606_101 | 制造商:Alpha & Omega Semiconductor 功能描述: |
| AO4606_12 | 制造商:AOSMD 制造商全称:Alpha & Omega Semiconductors 功能描述:30V Complementary MOSFET |
| AO4606L | 功能描述:MOSFET N-CH 8SOIC 制造商:alpha & omega semiconductor inc. 系列:- 包装:带卷(TR) 零件状态:过期 FET 类型:N 和 P 沟道互补型 FET 功能:标准 漏源极电压(Vdss):30V 电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时):6A 不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值):30 毫欧 @ 6A,10V 不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):2.4V @ 250μA 不同 Vgs 时的栅极电荷(Qg):6nC @ 10V 不同 Vds 时的输入电容(Ciss):310pF @ 15V 功率 - 最大值:2W 工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安装类型:表面贴装 封装/外壳:8-SOIC(0.154",3.90mm 宽) 供应商器件封装:8-SOIC 标准包装:3,000 |