- 您现在的位置：买卖IC网 > PDF目录375332 > AO4604 (ALPHA) Complementary Enhancement Mode Field Effect Transistor PDF资料下载
参数资料
| 型号： | AO4604 |
| 厂商： | ALPHA |
| 英文描述： | Complementary Enhancement Mode Field Effect Transistor |
| 中文描述： | 增强模式互补场效应晶体管 |
| 文件页数： | 7/9页 |
| 文件大小： | 825K |
| 代理商： | AO4604 |
AO4
604
P-CHANNEL TYPICAL ELECTRICAL AND THERMAL CHARACTERISTICS
0
2
4
6
8
10
0
2
4
6
8
10
12
14
16
-Q
g
(nC)
Figure 7: Gate-Charge Characteristics
-
G
0
200
400
600
800
1000
1200
0
5
10
15
20
25
30
-V
DS
(Volts)
Figure 8: Capacitance Characteristics
C
C
iss
C
oss
C
rss
0
0.001
10
20
30
40
0.01
0.1
1
10
100
1000
Pulse Width (s)
Figure 10: Single Pulse Power Rating Junction-to-
Ambient (Note E)
P
0.01
0.00001
0.1
1
10
0.0001
0.001
0.01
0.1
1
10
100
1000
Pulse Width (s)
Figure 11: Normalized Maximum Transient Thermal Impedance
Z
θ
J
T
0.1
1
10
100
0.1
1
10
100
-V
DS
(Volts)
-
D
Figure 9: Maximum Forward Biased Safe
Operating Area (Note E)
100
μ
s
10ms
1ms
0.1s
1s
10s
DC
R
DS(ON)
limited
T
J(Max)
=150°C
T
A
=25°C
V
DS
=-15V
I
D
=-5A
Single Pulse
D=T
on
/T
T
J,PK
=T
A
+P
DM
.Z
θ
JA
.R
θ
JA
R
θ
JA
=62.5°C/W
T
on
T
P
D
In descending order
D=0.5, 0.3, 0.1, 0.05, 0.02, 0.01, single pulse
T
J(Max)
=150°C
T
A
=25°C
10
μ
s
Alpha & Omega Semiconductor, Ltd.
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| AO4606 | LJT 55C 55#22D PIN RECP |
| AO4607 | Complementary Enhancement Mode Field Effect Transistor |
| AO4607L | Complementary Enhancement Mode Field Effect Transistor |
| AO4610 | Complementary Enhancement Mode Field Effect Transistor |
| AO4610L | Complementary Enhancement Mode Field Effect Transistor |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| AO4604_09 | 制造商:AOSMD 制造商全称:Alpha & Omega Semiconductors 功能描述:Complementary Enhancement Mode Field Effect Transistor |
| AO4606 | 制造商:AOS 功能描述:MOSFET |
| AO4606_101 | 制造商:Alpha & Omega Semiconductor 功能描述: |
| AO4606_12 | 制造商:AOSMD 制造商全称:Alpha & Omega Semiconductors 功能描述:30V Complementary MOSFET |
| AO4606L | 功能描述:MOSFET N-CH 8SOIC 制造商:alpha & omega semiconductor inc. 系列:- 包装:带卷（TR） 零件状态:过期 FET 类型:N 和 P 沟道互补型 FET 功能:标准 漏源极电压（Vdss）:30V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:6A 不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:30 毫欧 @ 6A，10V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:2.4V @ 250μA 不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）:6nC @ 10V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）:310pF @ 15V 功率 - 最大值:2W 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:表面贴装 封装/外壳:8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） 供应商器件封装:8-SOIC 标准包装:3,000 |
发布紧急采购，3分钟左右您将得到回复。