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参数资料
| 型号： | AO7410 |
| 厂商： | Alpha & Omega Semiconductor Inc |
| 文件页数： | 3/5页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N-CH 30V 1.7A SC70 |
| 标准包装： | 3,000 |
| FET 型： | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 逻辑电平门 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 30V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 1.7A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 55 毫欧 @ 1.7A，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 1.5V @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 12nC @ 10V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 285pF @ 15V |
| 功率 - 最大： | 350mW |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | SC-70，SOT-323 |
| 供应商设备封装： | SC-70 |
| 包装： | 带卷 (TR) |
AO7410
TYPICAL ELECTRICAL AND THERMAL CHARACTERISTICS
15
10
12
9
10V
3V
4.5V
2.5V
8
6
V DS =5V
6
3
0
V GS =2.0V
4
2
0
125 ° C
25 ° C
0
1
2
3
4
5
0
0.5
1
1.5
2
2.5
3
80
V DS (Volts)
Fig 1: On-Region Characteristics (Note E)
1.8
V GS (Volts)
Figure 2: Transfer Characteristics (Note E)
70
V GS =2.5V
1.6
V GS =4.5V
I D =3A
5
60
50
V GS =4.5V
1.4
1.2
17
V GS =10V
I D =4A
2
40
V GS =10V
1
V GS =2.5V
I D =2A
10
30
0.8
120
0
2 4 6 8 10
I D (A)
Figure 3: On-Resistance vs. Drain Current and Gate
Voltage (Note E)
0
1.0E+02
25 50 75 100 125 150 175
Temperature (°C) 0
Figure 4: On-Resistance vs. Junction 18 Temperature
(Note E)
I D =4A
1.0E+01
100
40
1.0E+00
80
60
40
20
25 ° C
125 ° C
1.0E-01
1.0E-02
1.0E-03
1.0E-04
1.0E-05
125 ° C
25 ° C
0
2
4 6 8 10
0.0
0.2
0.4
0.6
0.8
1.0
1.2
V GS (Volts)
Figure 5: On-Resistance vs. Gate-Source Voltage
(Note E)
V SD (Volts)
Figure 6: Body-Diode Characteristics (Note E)
Rev 5: Dec. 2012
www.aosmd.com
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PDF描述 |
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参数描述 |
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| AO7411_10 | 制造商:AOSMD 制造商全称:Alpha & Omega Semiconductors 功能描述:20V P-Channel MOSFET |
| AO7411L | 制造商:Alpha & Omega Semiconductor 功能描述: |
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