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参数资料
| 型号： | AOB1606L |
| 厂商： | Alpha & Omega Semiconductor Inc |
| 文件页数： | 5/6页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOS N CH 60V 178A TO263 |
| 标准包装： | 1 |
| FET 型： | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 标准 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 60V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 178A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 6 毫欧 @ 20A，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 3.7V @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 102nC @ 10V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 4500pF @ 25V |
| 功率 - 最大： | 2.1W |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | TO-263-3，D²Pak（2 引线+接片），TO-263AB |
| 供应商设备封装： | TO-263（D2Pak） |
| 包装： | 标准包装 |
| 其它名称： | 785-1321-6 |
AOT1606L/AOB1606L
TYPICAL ELECTRICAL AND THERMAL CHARACTERISTICS
200
160
500
400
120
T A =25 ° C
300
80
40
0
T A =150 ° C
T A =125 ° C
T A =100 ° C
200
100
0
1 10 100 1000 10000
Time in avalanche, t A ( μ s)
Figure 12: Single Pulse Avalanche capability
0
25 50 75 100 125
T CASE ( ° C)
Figure 13: Power De-rating (Note F)
150
175
(Note C)
200
10000
160
120
80
1000
100
T A =25 ° C
17
5
2
10
10
40
0
1
0
25
50
75
100
125
150
175
0.00001
0.001
0.1 10 1000
18
T CASE ( ° C)
Figure 14: Current De-rating (Note F)
Pulse Width (s)
Figure 15: Single Pulse Power Rating Junction-to-
Ambient (Note H)
10
1
0.1
D=T on /T
T J,PK =T A +P DM .Z θ JA .R θ JA
R θ JA =60 ° C/W
In descending order
D=0.5, 0.3, 0.1, 0.05, 0.02, 0.01, single pulse
40
0.01
0.001
Single Pulse
P D
T on
T
0.01
0.1
1
10
100
1000
Pulse Width (s)
Figure 16: Normalized Maximum Transient Thermal Impedance (Note H)
Rev0: May 2011
www.aosmd.com
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相关PDF资料 |
PDF描述 |
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相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
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| AOB20C60 | 制造商:AOSMD 制造商全称:Alpha & Omega Semiconductors 功能描述:Plastic Encapsulated Device |
| AOB20C60L | 功能描述:MOSFET N-CH 600V 20A TO263 制造商:alpha & omega semiconductor inc. 系列:- 包装:带卷（TR） 零件状态:有效 FET 类型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 功能:标准 漏源极电压（Vdss）:600V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:20A（Tc） 不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:250 毫欧 @ 10A，10V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:5V @ 250μA 不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）:74nC @ 10V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）:3440pF @ 100V 功率 - 最大值:463W 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:表面贴装 封装/外壳:TO-263-3，D2Pak（2 引线+接片），TO-263AB 供应商器件封装:TO-263（D2Pak） 标准包装:800 |
| AOB20C60PL | 功能描述:MOSFET NCH 600V 20A TO263 制造商:alpha & omega semiconductor inc. 系列:- 包装:剪切带（CT） 零件状态:有效 FET 类型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 功能:标准 漏源极电压（Vdss）:600V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:20A（Tc） 不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:260 毫欧 @ 10A，10V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:5V @ 250μA 不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）:80nC @ 10V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）:3607pF @ 100V 功率 - 最大值:463W 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:表面贴装 封装/外壳:TO-263-3，D2Pak（2 引线+接片），TO-263AB 供应商器件封装:TO-263（D2Pak） 标准包装:1 |
| AOB20S60 | 制造商:AOSMD 制造商全称:Alpha & Omega Semiconductors 功能描述:600V 20A a MOS Power Transistor |
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