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参数资料
| 型号： | AOI403 |
| 厂商： | ALPHA AND OMEGA SEMICONDUCTOR |
| 元件分类： | JFETs |
| 英文描述： | 70 A, 30 V, 0.0085 ohm, P-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-251 |
| 封装： | GREEN, TO-251A, IPAK-3 |
| 文件页数： | 3/6页 |
| 文件大小： | 505K |
| 代理商： | AOI403 |
AOD403/AOI403
TYPICAL ELECTRICAL AND THERMAL CHARACTERISTICS
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18
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40
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1.5
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6
-I
D
(A
)
-V
GS(Volts)
Figure 2: Transfer Characteristics (Note E)
2
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R
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)
(m
)
-I
D (A)
Figure 3: On-Resistance vs. Drain Current and
Gate Voltage (Note E)
0.8
1
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N
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ta
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Temperature (°C)
Figure 4: On-Resistance vs. Junction Temperature
(Note E)
V
GS=-10V
I
D=-20A
V
GS=-20V
I
D=-20A
25°C
125°C
V
DS=-5V
V
GS=-10V
V
GS=-20V
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-I
D
(A
)
-VDS (Volts)
Fig 1: On-Region Characteristics (Note E)
V
GS=-4V
-4.5V
-6V
-10V
-5V
18
40
0
20
40
60
80
100
1.5
2
2.5
3
3.5
4
4.5
5
5.5
6
-I
D
(A
)
-V
GS(Volts)
Figure 2: Transfer Characteristics (Note E)
2
4
6
8
10
0
5
10
15
20
25
30
R
D
S
(O
N
)
(m
)
-I
D (A)
Figure 3: On-Resistance vs. Drain Current and
Gate Voltage (Note E)
1.0E-05
1.0E-04
1.0E-03
1.0E-02
1.0E-01
1.0E+00
1.0E+01
1.0E+02
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0.8
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1.2
-I
S
(A
)
-V
SD (Volts)
Figure 6: Body-Diode Characteristics (Note E)
25°C
125°C
0.8
1
1.2
1.4
1.6
1.8
0
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N
o
rm
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li
z
e
d
O
n
-R
e
s
is
ta
n
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e
Temperature (°C)
Figure 4: On-Resistance vs. Junction Temperature
(Note E)
V
GS=-10V
I
D=-20A
V
GS=-20V
I
D=-20A
0
5
10
15
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0
5
10
15
20
R
D
S
(O
N
)
(m
)
-V
GS (Volts)
Figure 5: On-Resistance vs. Gate-Source Voltage
(Note E)
25°C
125°C
V
DS=-5V
V
GS=-10V
V
GS=-20V
I
D=-20A
25°C
125°C
0
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80
100
0
1
2
3
4
5
-I
D
(A
)
-VDS (Volts)
Fig 1: On-Region Characteristics (Note E)
V
GS=-4V
-4.5V
-6V
-10V
-5V
Rev 8: May 2011
www.aosmd.com
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PDF描述 |
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