参数资料
型号: AOI403
厂商: ALPHA AND OMEGA SEMICONDUCTOR
元件分类: JFETs
英文描述: 70 A, 30 V, 0.0085 ohm, P-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-251
封装: GREEN, TO-251A, IPAK-3
文件页数: 6/6页
文件大小: 505K
代理商: AOI403
AOD403/AOI403
VD C
Ig
Vds
DUT
VDC
Vgs
Qg
Qgs
Qgd
Charge
Gate Charge Test Circuit & W aveform
-
+
-
+
-10V
Id
Vds
Unclamped Inductive Switching (UIS) Test Circuit & Waveforms
Vds
L
-
2
E
= 1/2 LI
AR
BV
VDC
DUT
Vdd
Vgs
Vds
Vgs
RL
Rg
Resistive Switching Test Circuit & Waveforms
-
+
Vgs
Vds
t
90%
10%
r
on
d(off)
f
off
d(on)
VD C
Ig
Vds
DUT
VDC
Vgs
Qg
Qgs
Qgd
Charge
Gate Charge Test Circuit & W aveform
-
+
-
+
-10V
Vdd
Vgs
Id
Vgs
Rg
DUT
VDC
Vgs
Vds
Id
Vgs
Unclamped Inductive Switching (UIS) Test Circuit & Waveforms
Vds
L
-
+
2
E
= 1/2 LI
AR
BV
DSS
I AR
Ig
Vgs
-
+
VDC
DUT
L
Vgs
Isd
Diode Recovery Test Circuit & W aveforms
Vds -
Vds +
dI/dt
RM
rr
Vdd
Q
= -
Idt
t
rr
-Isd
-Vds
F
-I
VDC
DUT
Vdd
Vgs
Vds
Vgs
RL
Rg
Resistive Switching Test Circuit & Waveforms
-
+
Vgs
Vds
t
90%
10%
r
on
d(off)
f
off
d(on)
Rev 8: May 2011
www.aosmd.com
Page 6 of 6
相关PDF资料
PDF描述
AOD403 70 A, 30 V, 0.008 ohm, P-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-252
AOI472A 50 A, 25 V, 0.0052 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-251
AOL1426 46 A, 30 V, 0.0135 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET
AON6704 85 A, 30 V, 0.0034 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET
AON6718 80 A, 30 V, 0.005 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET
相关代理商/技术参数
参数描述
AOI409 功能描述:MOSFET P-CH 60V 26A TO251A RoHS:是 类别:分离式半导体产品 >> FET - 单 系列:- 标准包装:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 特点:逻辑电平门 漏极至源极电压(Vdss):200V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C:18A 开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫欧 @ 9A,10V Id 时的 Vgs(th)(最大):4V @ 250µA 闸电荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 输入电容 (Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-220-3 整包 供应商设备封装:TO-220FP 包装:管件
AOI4102 功能描述:MOSFET N-CH 30V 8A TO251A RoHS:是 类别:分离式半导体产品 >> FET - 单 系列:- 标准包装:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 特点:逻辑电平门 漏极至源极电压(Vdss):200V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C:18A 开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫欧 @ 9A,10V Id 时的 Vgs(th)(最大):4V @ 250µA 闸电荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 输入电容 (Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-220-3 整包 供应商设备封装:TO-220FP 包装:管件
AOI4126 功能描述:MOSFET N-CH 100V 7.5A TO251A RoHS:是 类别:分离式半导体产品 >> FET - 单 系列:SDMOS™ 标准包装:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 特点:逻辑电平门 漏极至源极电压(Vdss):200V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C:18A 开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫欧 @ 9A,10V Id 时的 Vgs(th)(最大):4V @ 250µA 闸电荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 输入电容 (Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-220-3 整包 供应商设备封装:TO-220FP 包装:管件
AOI4130 功能描述:MOSFET N-CH 60V 6.5A TO251A RoHS:是 类别:分离式半导体产品 >> FET - 单 系列:- 标准包装:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 特点:逻辑电平门 漏极至源极电压(Vdss):200V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C:18A 开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫欧 @ 9A,10V Id 时的 Vgs(th)(最大):4V @ 250µA 闸电荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 输入电容 (Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-220-3 整包 供应商设备封装:TO-220FP 包装:管件
AOI4144 制造商:Alpha & Omega Semiconductor 功能描述:Trans MOSFET N-CH 30V 55A 3-Pin(3+Tab) TO-251A