参数资料
| 型号： | APA750-FG676 |
| 厂商： | Microsemi SoC |
| 文件页数： | 155/178页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | IC FPGA PROASIC+ 750K 676-FBGA |
| 标准包装： | 40 |
| 系列： | ProASICPLUS |
| RAM 位总计： | 147456 |
| 输入/输出数： | 454 |
| 门数： | 750000 |
| 电源电压： | 2.3 V ~ 2.7 V |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 工作温度： | 0°C ~ 70°C |
| 封装/外壳： | 676-BGA |
| 供应商设备封装： | 676-FBGA（27x27） |
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ProASICPLUS Flash Family FPGAs
2- 68
v5.9
Asynchronous FIFO Write
Note: The plot shows the normal operation status.
Figure 2-41 Asynchronous FIFO Write
Table 2-64 TJ = 0°C to 110°C; VDD = 2.3 V to 2.7 V for Commercial/Industrial
TJ = –55°C to 150°C, VDD = 2.3 V to 2.7 V for Military/MIL-STD-883
Symbol txxx
Description
Min.
Max.
Units
Notes
DWRH
DI hold from WB
↑
1.5
ns
DWRS
DI setup to WB
↑
0.5
ns
PARGEN is inactive
DWRS
DI setup to WB
↑
2.5
ns
PARGEN is active
EWRH, FWRH,
THWRH
Old EMPTY, FULL, EQTH, & GETH valid hold
time after WB
↑
0.5
ns
Empty/full/thresh are invalid from the end
of hold until the new access is complete
EWRA
EMPTY
↓ access from WB ↑
3.01
ns
FWRA
New FULL access from WB
↑
3.01
ns
THWRA
EQTH or GETH access from WB
↑
4.5
ns
WPDA
WPE access from DI
3.0
ns
WPE is invalid while PARGEN is active
WPDH
WPE hold from DI
1.0
ns
WRCYC
Cycle time
7.5
ns
WRRDS
RB
↑, clearing FULL, setup to
WB
↓
3.02
ns
Enabling the write operation
1.0
Inhibiting the write operation
WRH
WB high phase
3.0
ns
Inactive
WRL
WB low phase
3.0
ns
Active
Notes:
1. At fast cycles, EWRA, FWRA = MAX (7.5 ns – WRL), 3.0 ns.
2. At fast cycles, WRRDS (for enabling write) = MAX (7.5 ns – RDL), 3.0 ns.
3. After FIFO reset, WRB needs an initial falling edge prior to any write actions.
WPE
WDATA
(Full inhibits write)
WB = (WRB + WBLKB)
EMPTY
EQTH, GETH
FULL
Cycle Start
RB
tWRRDS
tDWRH
tWPDH
tWPDA
tDWRS
tEWRH, tFWRH
tEWRA, tFWRA
tTHWRH
tTHWRA
tWRH
tWRL
tWRCYC
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