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参数资料
| 型号： | APT15GP60BDL |
| 厂商： | MICROSEMI POWER PRODUCTS GROUP |
| 元件分类： | IGBT 晶体管 |
| 英文描述： | 56 A, 600 V, N-CHANNEL IGBT, TO-247AD |
| 封装： | ROHS COMPLIANT, TO-247, 3 PIN |
| 文件页数： | 6/8页 |
| 文件大小： | 188K |
| 代理商： | APT15GP60BDL |
052-6356
Rev
A
7-2008
APT15GP60BDL(G)
T
J = 125
C
Gate Voltage
Collector Voltage
Collector Current
0
90%
t
d(off)
t
f
10%
Switching Energy
Figure 22, Turn-on Switching Waveforms and Denitions
Figure 23, Turn-off Switching Waveforms and Denitions
*DRIVER SAME TYPE AS D.U.T.
IC
VCLAMP
100uH
VTEST
A
B
D.U.T.
DRIVER*
VCE
Figure 24, E
ON1
Test Circuit
10%
Collector Current
Collector Voltage
Gate Voltage
t
d(on)
90%
t
r
5%
5 %
10%
Switching Energy
T
J = 125
C
IC
A
D.U.T.
APT15DF60
VCE
Figure 21, Inductive Switching Test Circuit
VCC
APT30DL60
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
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| APT30GT60BR | 64 A, 600 V, N-CHANNEL IGBT, TO-247AD |
| APT30M36JFLL | 76 A, 300 V, 0.036 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| APT15GP60BDLG | 制造商:Microsemi Corporation 功能描述:INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR - RESONANT MODE - COMBI - Rail/Tube 制造商:Microsemi Corporation 功能描述:IGBT 600V 56A TO-247 制造商:Microsemi Corporation 功能描述:IGBT 600V 56A 250W TO247 制造商:Microsemi Corporation 功能描述:POWER IGBT TRANSISTOR |
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| APT15GP60BDQ1G | 功能描述:IGBT 600V 56A 250W TO247 RoHS:是 类别:分离式半导体产品 >> IGBT - 单路 系列:POWER MOS 7® 标准包装:30 系列:GenX3™ IGBT 类型:PT 电压 - 集电极发射极击穿（最大）:1200V Vge, Ic时的最大Vce（开）:3V @ 15V，100A 电流 - 集电极 (Ic)（最大）:200A 功率 - 最大:830W 输入类型:标准 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-247-3 供应商设备封装:PLUS247?-3 包装:管件 |
| APT15GP60BG | 功能描述:IGBT 600V 56A 250W TO247 RoHS:是 类别:分离式半导体产品 >> IGBT - 单路 系列:POWER MOS 7® 标准包装:30 系列:GenX3™ IGBT 类型:PT 电压 - 集电极发射极击穿（最大）:1200V Vge, Ic时的最大Vce（开）:3V @ 15V，100A 电流 - 集电极 (Ic)（最大）:200A 功率 - 最大:830W 输入类型:标准 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-247-3 供应商设备封装:PLUS247?-3 包装:管件 |
| APT15GP60K | 制造商:ADPOW 制造商全称:Advanced Power Technology 功能描述:POWER MOS 7 IGBT |
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