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参数资料
| 型号： | APT15GP60BSC |
| 元件分类： | IGBT 晶体管 |
| 英文描述： | 56 A, 600 V, N-CHANNEL IGBT, TO-247 |
| 封装： | TO-247, 3 PIN |
| 文件页数： | 6/8页 |
| 文件大小： | 216K |
| 代理商： | APT15GP60BSC |
050-7448
Rev
A
7-2004
APT15GP60BSC
Figure 22, Turn-on Switching Waveforms and Definitions
Figure 23, Turn-off Switching Waveforms and Definitions
*DRIVER SAME TYPE AS D.U.T.
IC
VCLAMP
100uH
VTEST
A
B
D.U.T.
DRIVER*
VCE
Figure 24, EON1 Test Circuit
Drain Current
DrainVoltage
GateVoltage
T
J = 125°C
10%
Switching Energy
10%
t
r
5%
t
d(on)
90%
5%
90%
t
d(off)
0
10%
t
f
DrainVoltage
Drain Current
GateVoltage
Switching Energy
T
J = 125°C
IC
A
D.U.T.
APT10SC60
VCE
Figure 21, Inductive Switching Test Circuit
VCC
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| APT15GP60B | 56 A, 600 V, N-CHANNEL IGBT, TO-247AD |
| APT15GP60S | 56 A, 600 V, N-CHANNEL IGBT |
| APT15GP60KG | 56 A, 600 V, N-CHANNEL IGBT, TO-220AB |
| APT15GP60K | 56 A, 600 V, N-CHANNEL IGBT, TO-220AB |
| APT15GP60K | 56 A, 600 V, N-CHANNEL IGBT, TO-220AB |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| APT15GP60K | 制造商:ADPOW 制造商全称:Advanced Power Technology 功能描述:POWER MOS 7 IGBT |
| APT15GP60KG | 功能描述:IGBT 600V 56A 250W TO220 RoHS:是 类别:分离式半导体产品 >> IGBT - 单路 系列:POWER MOS 7® 标准包装:30 系列:GenX3™ IGBT 类型:PT 电压 - 集电极发射极击穿（最大）:1200V Vge, Ic时的最大Vce（开）:3V @ 15V，100A 电流 - 集电极 (Ic)（最大）:200A 功率 - 最大:830W 输入类型:标准 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-247-3 供应商设备封装:PLUS247?-3 包装:管件 |
| APT15GP60S | 制造商:MICROSEMI 制造商全称:Microsemi Corporation 功能描述:POWER MOS 7 IGBT |
| APT15GP90B | 制造商:ADPOW 制造商全称:Advanced Power Technology 功能描述:The POWER MOS 7 IGBT is a new generation of high voltage power IGBTs. |
| APT15GP90B_06 | 制造商:ADPOW 制造商全称:Advanced Power Technology 功能描述:The POWER MOS 7 IGBT is a new generation of high voltage power IGBTs |
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