| 型号: | APT33GF120LRD |
| 元件分类: | IGBT 晶体管 |
| 英文描述: | 52 A, 1200 V, N-CHANNEL IGBT, TO-264AA |
| 封装: | TO-264, 3 PIN |
| 文件页数: | 8/8页 |
| 文件大小: | 113K |
| 代理商: | APT33GF120LRD |

相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| APT4020SVFR | 23 A, 400 V, 0.2 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET |
| APT4020BVFR | 23 A, 400 V, 0.2 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-247 |
| APT4020SVFRG | 23 A, 400 V, 0.2 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET |
| APT4025BN | 23 A, 400 V, 0.25 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-247AD |
| APT4020BN | 26 A, 400 V, 0.2 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-247AD |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| APT33GF120LRDQ2 | 制造商:ADPOW 制造商全称:Advanced Power Technology 功能描述:FAST IGBT & FRED |
| APT33GF120LRDQ2G | 功能描述:IGBT 1200V 64A 357W TO264 RoHS:是 类别:分离式半导体产品 >> IGBT - 单路 系列:- 标准包装:30 系列:GenX3™ IGBT 类型:PT 电压 - 集电极发射极击穿(最大):1200V Vge, Ic时的最大Vce(开):3V @ 15V,100A 电流 - 集电极 (Ic)(最大):200A 功率 - 最大:830W 输入类型:标准 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-247-3 供应商设备封装:PLUS247?-3 包装:管件 |
| APT33N90JCCU2 | 制造商:Microsemi Corporation 功能描述:POWER MODULE - SIC - Bulk 制造商:Microsemi Corporation 功能描述:SILICON CARBIDE/SILICON HYBRID MODULES |
| APT33N90JCCU3 | 制造商:Microsemi Corporation 功能描述:POWER MODULE - SIC - Bulk 制造商:Microsemi Corporation 功能描述:SILICON CARBIDE/SILICON HYBRID MODULES |
| APT33N90JCU2 | 制造商:Microsemi Corporation 功能描述:POWER MODULE - COOLMOS - Bulk 制造商:Microsemi Corporation 功能描述:MOD MOSFET 900V 33A SOT227 |