- 您现在的位置：买卖IC网 > PDF目录36713 > APT40N60LCFG 40 A, 600 V, 0.11 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-264AA PDF资料下载
参数资料
| 型号： | APT40N60LCFG |
| 元件分类： | JFETs |
| 英文描述： | 40 A, 600 V, 0.11 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-264AA |
| 封装： | ROHS COMPLIANT, TO-264, 3 PIN |
| 文件页数： | 1/5页 |
| 文件大小： | 191K |
| 代理商： | APT40N60LCFG |
050-7236
Rev
A
5-2005
FINAL DATA SHEET WITH MOS 7 FORMAT
600V 40A 0.110
APT40N60B2CF
APT40N60LCF
APT40N60B2CFG* APT40N60LCFG*
*G Denotes RoHS Compliant, Pb Free Terminal Finish.
MAXIMUM RATINGS
All Ratings: T
C = 25°C unless otherwise specied.
CAUTION: These Devices are Sensitive to Electrostatic Discharge. Proper Handling Procedures Should Be Followed.
Characteristic / Test Conditions
Drain-Source Breakdown Voltage (V
GS = 0V, ID = 500A)
Drain-Source On-State Resistance 2 (V
GS = 10V, ID = 20A)
Zero Gate Voltage Drain Current (V
DS = 600V, VGS = 0V)
Zero Gate Voltage Drain Current (V
DS = 600V, VGS = 0V, TC = 150°C)
Gate-Source Leakage Current (V
GS = ±20V, VDS = 0V)
Gate Threshold Voltage (V
DS = VGS, ID = 2mA)
Symbol
V
DSS
I
D
I
DM
V
GS
P
D
T
J,TSTG
T
L
dv/dt
I
AR
E
AR
E
AS
Parameter
Drain-Source Voltage
Continuous Drain Current @ T
C = 25°C
Continuous Drain Current @ T
C = 100°C
Pulsed Drain Current 1
Gate-Source Voltage Continuous
Total Power Dissipation @ T
C = 25°C
Linear Derating Factor
Operating and Storage Junction Temperature Range
Lead Temperature: 0.063" from Case for 10 Sec.
Drain-Source Voltage slope (VDS = 480V, ID = 40A, TJ = 125°C)
Avalanche Current 7
Repetitive Avalanche Energy 7
Single Pulse Avalanche Energy 4
UNIT
Volts
Amps
Volts
Watts
W/°C
°C
V/ns
Amps
mJ
STATIC ELECTRICAL CHARACTERISTICS
Symbol
BV
DSS
R
DS(on)
I
DSS
I
GSS
V
GS(th)
UNIT
Volts
Ohms
A
nA
Volts
APT40N60B2CF(G)_LCF(G)
600
40
26
80
±30
417
3.33
-55 to 150
260
80
20
1
690
Ultra Low RDS(ON)
Intrinsic Fast-Recovery Body Diode
Low Miller Capacitance
Extreme Low Reverse Recovery Charge
Ultra Low Gate Charge, Qg
Ideal For ZVS Applications
Avalanche Energy Rated
Popular T-MAX or TO-264 Package
Extreme dv/dt Rated
Super Junction FREDFET
MIN
TYP
MAX
600
0.110
4.2
3400
±100
3
4
5
APT Website - http://www.advancedpower.com
C
Power Semiconductors
O
O LMOS
G
D
S
"COOLMOS comprise a new family of transistors developed by Inneon Technologies AG. "COOLMOS" is a trade-
mark of Inneon Technologies AG."
T-MaxTM
TO-264
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| APT44GA60SD30C | 78 A, 600 V, N-CHANNEL IGBT |
| APT44GA60BD30C | 78 A, 600 V, N-CHANNEL IGBT, TO-247 |
| APT4540BN-BUTT | 16 A, 450 V, 0.4 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-247 |
| APT4540BN-GULLWING | 16 A, 450 V, 0.4 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-247 |
| APT5040BN-GULLWING | 16 A, 500 V, 0.4 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-247 |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| APT40SM120B | 功能描述:MOSFET N-CH 1200V 41A TO247 制造商:microsemi corporation 系列:- 包装:散装 零件状态:有效 FET 类型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 功能:碳化硅 （SiC） 漏源极电压（Vdss）:1200V（1.2kV） 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:41A（Tc） 不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:100 毫欧 @ 20A，20V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:3V @ 1mA（标准） 不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）:130nC @ 20V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）:2560pF @ 1000V 功率 - 最大值:273W 工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ） 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-247-3 供应商器件封装:TO-247 标准包装:1 |
| APT40SM120J | 功能描述:MOSFET N-CH 1200V 32A SOT227 制造商:microsemi corporation 系列:- 包装:散装 零件状态:有效 FET 类型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 功能:标准 漏源极电压（Vdss）:1200V（1.2kV） 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:32A 不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:100 毫欧 @ 20A，20V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:3V @ 1mA（标准） 不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）:130nC @ 20V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）:2560pF @ 1000V 功率 - 最大值:165W 工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ） 安装类型:底座安装 封装/外壳:SOT-227-4，miniBLOC 供应商器件封装:SOT-227 标准包装:1 |
| APT40SM120S | 功能描述:MOSFET N-CH 1200V 41A D3PAK 制造商:microsemi corporation 系列:- 包装:散装 零件状态:有效 FET 类型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 功能:碳化硅 （SiC） 漏源极电压（Vdss）:1200V（1.2kV） 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:41A（Tc） 不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:100 毫欧 @ 20A，20V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:3V @ 1mA（标准） 不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）:130nC @ 20V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）:2560pF @ 1000V 功率 - 最大值:273W 工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ） 安装类型:表面贴装 封装/外壳:TO-268-3，D3Pak（2 引线+接片），TO-268AA 供应商器件封装:D3Pak 标准包装:1 |
| APT41F100J | 功能描述:MOSFET N-CH 1000V 41A SOT-227 RoHS:是 类别:半导体模块 >> FET 系列:- 标准包装:10 系列:* |
| APT41F100J_10 | 制造商:MICROSEMI 制造商全称:Microsemi Corporation 功能描述:N-Channel FREDFET |
发布紧急采购，3分钟左右您将得到回复。