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参数资料
| 型号： | APT40N60LCFG |
| 元件分类： | JFETs |
| 英文描述： | 40 A, 600 V, 0.11 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-264AA |
| 封装： | ROHS COMPLIANT, TO-264, 3 PIN |
| 文件页数： | 5/5页 |
| 文件大小： | 191K |
| 代理商： | APT40N60LCFG |
050-7236
Rev
A
5-2005
Typical Performance Curves
APT40N60B2CF(G)_LCF(G)
Scope pics are placed with the place command
and then scaled to 50%
T-MAXTM (B2) Package Outline (B2CF)
TO-264 (L) Package Outline (LCF)
APT’s products are covered by one or more of U.S.patents 4,895,810 5,045,903 5,089,434 5,182,234 5,019,522
5,262,336 6,503,786 5,256,583 4,748,103 5,283,202 5,231,474 5,434,095 5,528,058 and foreign patents. US and Foreign patents pending. All Rights Reserved.
Figure 19, Turn-off Switching Waveforms and Denitions
Figure 18, Turn-on Switching Waveforms and Denitions
Drain Current
Drain Voltage
Gate Voltage
T
J125°C
10%
t
d(on)
90%
5%
t
r
5%
10%
APT30DQ60
ID
VDS
D.U.T.
VDD
G
Figure 20, Inductive Switching Test Circuit
T
J125°C
10%
0
t
d(off)
t
f
Switching Energy
90%
Drain Voltage
Gate Voltage
Drain Current
e1 SAC: Tin, Silver, Copper
Switching Energy
15.49 (.610)
16.26 (.640)
5.38 (.212)
6.20 (.244)
4.50 (.177) Max.
19.81 (.780)
20.32 (.800)
20.80 (.819)
21.46 (.845)
1.65 (.065)
2.13 (.084)
1.01 (.040)
1.40 (.055)
5.45 (.215) BSC
2.87 (.113)
3.12 (.123)
4.69 (.185)
5.31 (.209)
1.49 (.059)
2.49 (.098)
2.21 (.087)
2.59 (.102)
0.40 (.016)
0.79 (.031)
Drain
Source
Gate
These dimensions are equal to the TO-247 without the mounting hole.
D
ra
in
2-Plcs.
19.51 (.768)
20.50 (.807)
19.81 (.780)
21.39 (.842)
25.48 (1.003)
26.49 (1.043)
2.29 (.090)
2.69 (.106)
0.76 (.030)
1.30 (.051)
3.10 (.122)
3.48 (.137)
4.60 (.181)
5.21 (.205)
1.80 (.071)
2.01 (.079)
2.59 (.102)
3.00 (.118)
0.48 (.019)
0.84 (.033)
Drain
Source
Gate
Dimensions in Millimeters and (Inches)
D
ra
in
2.29 (.090)
2.69 (.106)
5.79 (.228)
6.20 (.244)
2.79 (.110)
3.18 (.125)
5.45 (.215) BSC
2-Plcs.
Dimensions in Millimeters and (Inches)
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| APT44GA60SD30C | 78 A, 600 V, N-CHANNEL IGBT |
| APT44GA60BD30C | 78 A, 600 V, N-CHANNEL IGBT, TO-247 |
| APT4540BN-BUTT | 16 A, 450 V, 0.4 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-247 |
| APT4540BN-GULLWING | 16 A, 450 V, 0.4 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-247 |
| APT5040BN-GULLWING | 16 A, 500 V, 0.4 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-247 |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| APT40SM120B | 功能描述:MOSFET N-CH 1200V 41A TO247 制造商:microsemi corporation 系列:- 包装:散装 零件状态:有效 FET 类型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 功能:碳化硅 （SiC） 漏源极电压（Vdss）:1200V（1.2kV） 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:41A（Tc） 不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:100 毫欧 @ 20A，20V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:3V @ 1mA（标准） 不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）:130nC @ 20V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）:2560pF @ 1000V 功率 - 最大值:273W 工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ） 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-247-3 供应商器件封装:TO-247 标准包装:1 |
| APT40SM120J | 功能描述:MOSFET N-CH 1200V 32A SOT227 制造商:microsemi corporation 系列:- 包装:散装 零件状态:有效 FET 类型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 功能:标准 漏源极电压（Vdss）:1200V（1.2kV） 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:32A 不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:100 毫欧 @ 20A，20V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:3V @ 1mA（标准） 不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）:130nC @ 20V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）:2560pF @ 1000V 功率 - 最大值:165W 工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ） 安装类型:底座安装 封装/外壳:SOT-227-4，miniBLOC 供应商器件封装:SOT-227 标准包装:1 |
| APT40SM120S | 功能描述:MOSFET N-CH 1200V 41A D3PAK 制造商:microsemi corporation 系列:- 包装:散装 零件状态:有效 FET 类型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 功能:碳化硅 （SiC） 漏源极电压（Vdss）:1200V（1.2kV） 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:41A（Tc） 不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:100 毫欧 @ 20A，20V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:3V @ 1mA（标准） 不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）:130nC @ 20V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）:2560pF @ 1000V 功率 - 最大值:273W 工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ） 安装类型:表面贴装 封装/外壳:TO-268-3，D3Pak（2 引线+接片），TO-268AA 供应商器件封装:D3Pak 标准包装:1 |
| APT41F100J | 功能描述:MOSFET N-CH 1000V 41A SOT-227 RoHS:是 类别:半导体模块 >> FET 系列:- 标准包装:10 系列:* |
| APT41F100J_10 | 制造商:MICROSEMI 制造商全称:Microsemi Corporation 功能描述:N-Channel FREDFET |
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