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参数资料
型号： APT45GP120JDF2
元件分类： IGBT 晶体管
英文描述： 75 A, 1200 V, N-CHANNEL IGBT
封装： ISOTOP-4
文件页数： 3/9页
文件大小： 211K
代理商： APT45GP120JDF2
050-7432
Rev
C
8-2004
APT45GP120JDF2
TYPICAL PERFORMANCE CURVES
V
CE, COLLECTER-TO-EMITTER VOLTAGE (V)
V
CE, COLLECTER-TO-EMITTER VOLTAGE (V)
FIGURE 1, Output Characteristics(V
GE = 15V)
FIGURE 2, Output Characteristics (V
GE = 10V)
V
GE, GATE-TO-EMITTER VOLTAGE (V)
GATE CHARGE (nC)
FIGURE 3, Transfer Characteristics
FIGURE 4, Gate Charge
V
GE, GATE-TO-EMITTER VOLTAGE (V)
T
J, Junction Temperature (°C)
FIGURE 5, On State Voltage vs Gate-to- Emitter Voltage
FIGURE 6, On State Voltage vs Junction Temperature
T
J, JUNCTION TEMPERATURE (°C)
T
C, CASE TEMPERATURE (°C)
FIGURE 7, Breakdown Voltage vs. Junction Temperature
FIGURE 8, DC Collector Current vs Case Temperature
BV
CES
,COLLECTOR-TO-EMITTER
BREAKDOWN
V
CE
,COLLECTOR-TO-EMITTER
VOLTAGE
(V)
I C
,COLLECTOR
CURRENT
(A)
I C
,COLLECTOR
CURRENT
(A)
VOLTAGE
(NORMALIZED)
I C,
DC
COLLECTOR
CURRENT(A)
V
CE
,COLLECTOR-TO-EMITTER
VOLTAGE
(V)
V
GE
,GATE-TO-EMITTER
VOLTAGE
(V)
I C
,COLLECTOR
CURRENT
(A)
0
0.5
1
1.5
2
2.5
3
3.5
4
0 0.5
1 1.5 2
2.5 3 3.5 4 4.5 5
0
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
0
20 40 60 80 100 120 140 160 180 200
6
8
10
12
14
16
0
25
50
75
100
125
-50
-25
0
25
50
75
100 125
-50
-25
0
25
50
75 100 125 150
90
80
70
60
50
40
30
20
10
0
160
140
120
100
80
60
40
20
0
5
4
3
2
1
0
1.2
1.15
1.10
1.05
1.0
0.95
0.9
0.85
0.8
90
80
70
60
50
40
30
20
10
0
16
14
12
10
8
6
4
2
0
5
4.5
4
3.5
3
2.5
2.0
1.5
1.0
0.05
0
120
100
80
60
40
20
0
IC = 45A
TJ = 25°C
VCE=960V
VCE=600V
VCE=240V
TJ = 25°C.
250s PULSE TEST
<0.5 % DUTY CYCLE
VGE = 15V.
250s PULSE TEST
<0.5 % DUTY CYCLE
TJ = 25°C
TJ = -55°C
TJ = 125°C
TC=25°C
TC=125°C
250s PULSE TEST
<0.5 % DUTY CYCLE
IC = 90A
IC = 22.5A
IC = 45A
TC=125°C
TC=25°C
VGE = 10V.
250s PULSE TEST
<0.5 % DUTY CYCLE
VGE = 15V.
250s PULSE TEST
<0.5 % DUTY CYCLE
IC = 22.5A
IC = 45A
IC = 90A
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