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参数资料
| 型号： | APT45GP120JDF2 |
| 元件分类： | IGBT 晶体管 |
| 英文描述： | 75 A, 1200 V, N-CHANNEL IGBT |
| 封装： | ISOTOP-4 |
| 文件页数： | 8/9页 |
| 文件大小： | 211K |
| 代理商： | APT45GP120JDF2 |
050-7432
Rev
C
8-2004
APT45GP120JDF2
TJ = 125°C
VR = 800V
15A
30A
60A
trr
Qrr
trr
IRRM
Q
rr
,REVERSE
RECOVERY
CHARGE
I F
,FORWARD
CURRENT
(nC)
(A
)
I RRM
,REVERSE
RECOVERY
CURRENT
t rr
,REVERSE
RECOVERY
TIME
(A
)
(ns)
TJ = -55°C
TJ = 25°C
TJ = 125°C
TJ = 150°C
Duty cycle = 0.5
TJ = 150°C
TJ = 125°C
VR = 800V
35
30
25
20
15
10
5
0
C
J,
JUNCTION
CAPACITANCE
K
f,DYNAMIC
PARAMETERS
(pF)
(Normalized
to
1000A/
s)
I F(AV)
(A)
60A
30A
15A
200
180
160
140
120
100
80
60
40
20
0
5000
4000
3000
2000
1000
0
1
2
3
4
5
6
7
0
200
400
600
800
1000
1200
0
200
400
600
800
1000
1200
0
200
400
600
800
1000
1200
TJ = 125°C
VR = 800V
30A
15A
60A
500
400
300
200
100
0
35
30
25
20
15
10
5
0
25
50
75
100
125
150
25
50
75
100
125
150
1
10
100 200
1.4
1.2
1.0
0.8
0.6
0.4
0.2
0.0
200
150
100
50
0
VF,ANODE-TO-CATHODEVOLTAGE(V)
-diF /dt, CURRENT RATE OF CHANGE(A/s)
Figure 26. Forward Current vs. Forward Voltage
Figure 27. Reverse Recovery Time vs. Current Rate of Change
-diF/dt,CURRENTRATEOFCHANGE(A/s)
-diF /dt, CURRENT RATE OF CHANGE (A/s)
Figure 28. Reverse Recovery Charge vs. Current Rate of Change
Figure 29. Reverse Recovery Current vs. Current Rate of Change
TJ,JUNCTIONTEMPERATURE(°C)
Case Temperature (°C)
Figure 30. Dynamic Parameters vs. Junction Temperature
Figure 31. Maximum Average Forward Current vs. CaseTemperature
VR, REVERSE VOLTAGE (V)
Figure 32. Junction Capacitance vs. Reverse Voltage
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| APT47N60SCF | 46 A, 600 V, 0.083 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET |
| APT47N60SCFG | 46 A, 600 V, 0.083 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET |
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相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| APT45GP120JDQ2 | 功能描述:IGBT 1200V 75A 329W SOT227 RoHS:是 类别:半导体模块 >> IGBT 系列:POWER MOS 7® 标准包装:10 系列:GenX3™ IGBT 类型:PT 配置:单一 电压 - 集电极发射极击穿（最大）:600V Vge, Ic时的最大Vce（开）:1.4V @ 15V，100A 电流 - 集电极 (Ic)（最大）:430A 电流 - 集电极截止（最大）:100µA Vce 时的输入电容 (Cies):31nF @ 25V 功率 - 最大:1000W 输入:标准 NTC 热敏电阻:无 安装类型:底座安装 封装/外壳:SOT-227-4，miniBLOC 供应商设备封装:SOT-227B |
| APT45GR65B | 功能描述:IGBT NPT 650V 92A 357W Through Hole TO-247 制造商:microsemi corporation 系列:- 包装:管件 零件状态:有效 IGBT 类型:NPT 电压 - 集射极击穿（最大值）:650V 电流 - 集电极（Ic）（最大值）:92A 脉冲电流 - 集电极 (Icm):168A 不同?Vge，Ic 时的?Vce（on）:2.4V @ 15V，45A 功率 - 最大值:357W 开关能量:900μJ（开），580μJ（关） 输入类型:标准 栅极电荷:203nC 25°C 时 Td（开/关）值:15ns/100ns 测试条件:433V，45A，4.3 欧姆，15V 反向恢复时间（trr）:- 封装/外壳:TO-247-3 安装类型:通孔 供应商器件封装:TO-247 标准包装:1 |
| APT45GR65B2DU30 | 功能描述:IGBT NPT 650V 118A 543W Through Hole T-MAX? [B2] 制造商:microsemi corporation 系列:- 包装:散装 零件状态:有效 IGBT 类型:NPT 电压 - 集射极击穿（最大值）:650V 电流 - 集电极（Ic）（最大值）:118A 脉冲电流 - 集电极 (Icm):224A 不同?Vge，Ic 时的?Vce（on）:2.4V @ 15V，45A 功率 - 最大值:543W 开关能量:* 输入类型:标准 栅极电荷:203nC 25°C 时 Td（开/关）值:15ns/100ns 测试条件:433V，45A，4.3 欧姆，15V 反向恢复时间（trr）:80ns 封装/外壳:TO-247-3 安装类型:通孔 供应商器件封装:T-MAX? [B2] 标准包装:1 |
| APT45GR65BSCD10 | 功能描述:IGBT NPT 650V 118A 543W Through Hole TO-247 制造商:microsemi corporation 系列:- 包装:散装 零件状态:有效 IGBT 类型:NPT 电压 - 集射极击穿（最大值）:650V 电流 - 集电极（Ic）（最大值）:118A 脉冲电流 - 集电极 (Icm):224A 不同?Vge，Ic 时的?Vce（on）:2.4V @ 15V，45A 功率 - 最大值:543W 开关能量:* 输入类型:标准 栅极电荷:203nC 25°C 时 Td（开/关）值:15ns/100ns 测试条件:433V，45A，4.3 欧姆，15V 反向恢复时间（trr）:80ns 封装/外壳:TO-247-3 安装类型:通孔 供应商器件封装:TO-247 标准包装:1 |
| APT45GR65SSCD10 | 功能描述:IGBT NPT 650V 118A 543W Surface Mount D3Pak 制造商:microsemi corporation 系列:- 包装:散装 零件状态:有效 IGBT 类型:NPT 电压 - 集射极击穿（最大值）:650V 电流 - 集电极（Ic）（最大值）:118A 脉冲电流 - 集电极 (Icm):224A 不同?Vge，Ic 时的?Vce（on）:2.4V @ 15V，45A 功率 - 最大值:543W 开关能量:* 输入类型:标准 栅极电荷:203nC 25°C 时 Td（开/关）值:15ns/100ns 测试条件:433V，45A，4.3 欧姆，15V 反向恢复时间（trr）:80ns 封装/外壳:TO-263-3，D2Pak（2 引线+接片），TO-263AB 安装类型:表面贴装 供应商器件封装:D3Pak 标准包装:1 |
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