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参数资料
| 型号： | APT50GF60LRD |
| 厂商： | Advanced Power Technology Ltd. |
| 英文描述： | Thin Film RF/Microwave Capacitor; Capacitance:3.9pF; Capacitance Tolerance:+/- 0.1 pF; Working Voltage, DC:50V; Package/Case:0603; Leaded Process Compatible:Yes; Operating Temp. Max:125 C; Operating Temp. Min:-55 C |
| 中文描述： | ⑩的快速IGBT是一种高压IGBT的新一代。 |
| 文件页数： | 5/5页 |
| 文件大小： | 82K |
| 代理商： | APT50GF60LRD |
0
APT50GF60BR
T0-247 Package Outline
APT Reserves the right to change, without notice, the specifications and information contained herein.
15.49 (.610)
16.26 (.640)
5.38 (.212)
6.20 (.244)
6.15 (.242) BSC
4.50 (.177) Max.
19.81 (.780)
20.32 (.800)
20.80 (.819)
21.46 (.845)
1.65 (.065)
2.13 (.084)
Gate
1.01 (.040)
1.40 (.055)
5.45 (.215) BSC
2-Plcs.
3.55 (.138)
3.81 (.150)
2.87 (.113)
3.12 (.123)
4.69 (.185)
5.31 (.209)
1.49 (.059)
2.49 (.098)
2.21 (.087)
2.59 (.102)
0.40 (.016)
0.79 (.031)
Dimensions in Millimeters and (Inches)
Collector
(Cathode)
Emitter
(Anode)
C
(
D.U.T.
*DRIVER SAME TYPE AS D.U.T.
V
CC
= 0.66 V
CES
E
ts
= E
on
+ E
off
V
CE
(on)
t
d
(off)
t
d
(on)
t
f
t
r
1
Figure 16, Switching Loss Test Circuit and Waveforms
Figure 17, Resistive Switching Time Test Circuit and Waveforms
2
V
CC
50 F
600V
R
G
= 10 Ohms
R
L
=
.66 V
CES
I
C2
10%
90%
V
GE
(on)
V
CE
(off)
V
GE
(off)
2
I
C
1
From
Gate Drive
Circuitry
0.1 F
1KV
D.U.T.
100uH
A
A
V
CC
I
C
Induco
I
C
D.U.T. V
CE
(SAT)
V
CC
V
CLAMP
90%
10%
90%
10%
10%
90%
E
off
t
f
t
d
(off)
t
d
(on)
t
r
E
on
10
10
DRIVER*
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