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参数资料
| 型号： | APT75GP120JDQ3 |
| 厂商： | MICROSEMI POWER PRODUCTS GROUP |
| 元件分类： | IGBT 晶体管 |
| 英文描述： | 128 A, 1200 V, N-CHANNEL IGBT |
| 封装： | ISOTOP-4 |
| 文件页数： | 6/9页 |
| 文件大小： | 453K |
| 代理商： | APT75GP120JDQ3 |
050-7458
Rev
A
10-2005
APT75GP120JDQ3
Figure 22, Turn-on Switching Waveforms and Denitions
Figure 23, Turn-off Switching Waveforms and Denitions
T
J = 125°C
Collector Current
Collector Voltage
Gate Voltage
Switching Energy
5%
10%
t
d(on)
90%
10%
t
r
5%
T
J = 125°C
Collector Voltage
Collector Current
Gate Voltage
Switching Energy
0
90%
t
d(off)
10%
t
f
90%
APT60DQ120
IC
A
D.U.T.
VCE
Figure 21, Inductive Switching Test Circuit
VCC
*DRIVER SAME TYPE AS D.U.T.
IC
VCLAMP
100uH
VTEST
A
B
D.U.T.
DRIVER*
VCE
Figure 24, EON1 Test Circuit
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| APT75GT120JRDQ3 | 97 A, 1200 V, N-CHANNEL IGBT |
| APT75GT120JU2 | 100 A, 1200 V, N-CHANNEL IGBT |
| APT75GT120JU3 | 100 A, 1200 V, N-CHANNEL IGBT |
| APT75GT120JU3 | 100 A, 1200 V, N-CHANNEL IGBT |
| APT77N60BC6 | 77 A, 600 V, 0.041 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-247 |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| APT75GT120JR | 制造商:ADPOW 制造商全称:Advanced Power Technology 功能描述:Thunderbolt IGBT |
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| APT75GT120JU2 | 功能描述:IGBT 1200V 100A 416W SOT227 RoHS:是 类别:半导体模块 >> IGBT 系列:Trench + Field Stop IGBT® 标准包装:10 系列:GenX3™ IGBT 类型:PT 配置:单一 电压 - 集电极发射极击穿（最大）:600V Vge, Ic时的最大Vce（开）:1.4V @ 15V，100A 电流 - 集电极 (Ic)（最大）:430A 电流 - 集电极截止（最大）:100µA Vce 时的输入电容 (Cies):31nF @ 25V 功率 - 最大:1000W 输入:标准 NTC 热敏电阻:无 安装类型:底座安装 封装/外壳:SOT-227-4，miniBLOC 供应商设备封装:SOT-227B |
| APT75GT120JU3 | 功能描述:POWER MOD IGBT 1200V 100A SOT227 RoHS:是 类别:半导体模块 >> IGBT 系列:Trench + Field Stop IGBT® 标准包装:10 系列:GenX3™ IGBT 类型:PT 配置:单一 电压 - 集电极发射极击穿（最大）:600V Vge, Ic时的最大Vce（开）:1.4V @ 15V，100A 电流 - 集电极 (Ic)（最大）:430A 电流 - 集电极截止（最大）:100µA Vce 时的输入电容 (Cies):31nF @ 25V 功率 - 最大:1000W 输入:标准 NTC 热敏电阻:无 安装类型:底座安装 封装/外壳:SOT-227-4，miniBLOC 供应商设备封装:SOT-227B |
| APT75M50B2 | 功能描述:MOSFET N-CH 500V 75A T-MAX RoHS:是 类别:分离式半导体产品 >> FET - 单 系列:- 标准包装:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 特点:逻辑电平门 漏极至源极电压(Vdss):200V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C:18A 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫欧 @ 9A，10V Id 时的 Vgs(th)（最大）:4V @ 250µA 闸电荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 输入电容 (Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-220-3 整包 供应商设备封装:TO-220FP 包装:管件 |
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