型号: | APTCV50H60T3G |
厂商: | MICROSEMI POWER PRODUCTS GROUP |
元件分类: | IGBT 晶体管 |
英文描述: | 80 A, 600 V, N-CHANNEL IGBT |
封装: | ROHS COMPLIANT, SP3, 25 PIN |
文件页数: | 2/9页 |
文件大小: | 348K |
代理商: | APTCV50H60T3G |
相关PDF资料 |
PDF描述 |
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相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
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APTCV60HM45RCT3G | 功能描述:POWER MOD IGBT3 FULL BRIDGE SP3 RoHS:是 类别:半导体模块 >> IGBT 系列:- 标准包装:10 系列:GenX3™ IGBT 类型:PT 配置:单一 电压 - 集电极发射极击穿(最大):600V Vge, Ic时的最大Vce(开):1.4V @ 15V,100A 电流 - 集电极 (Ic)(最大):430A 电流 - 集电极截止(最大):100µA Vce 时的输入电容 (Cies):31nF @ 25V 功率 - 最大:1000W 输入:标准 NTC 热敏电阻:无 安装类型:底座安装 封装/外壳:SOT-227-4,miniBLOC 供应商设备封装:SOT-227B |
APTCV60HM45RT3G | 功能描述:POWER MOD IGBT3 FULL BRIDGE SP3 RoHS:是 类别:半导体模块 >> IGBT 系列:- 标准包装:10 系列:GenX3™ IGBT 类型:PT 配置:单一 电压 - 集电极发射极击穿(最大):600V Vge, Ic时的最大Vce(开):1.4V @ 15V,100A 电流 - 集电极 (Ic)(最大):430A 电流 - 集电极截止(最大):100µA Vce 时的输入电容 (Cies):31nF @ 25V 功率 - 最大:1000W 输入:标准 NTC 热敏电阻:无 安装类型:底座安装 封装/外壳:SOT-227-4,miniBLOC 供应商设备封装:SOT-227B |
APTCV60HM70BT3G | 功能描述:IGBT Module Trench Field Stop Boost Chopper, Full Bridge 600V 50A 250W Chassis Mount SP3 制造商:microsemi corporation 系列:- 零件状态:有效 IGBT 类型:沟槽型场截止 配置:升压斩波器,全桥 电压 - 集射极击穿(最大值):600V 电流 - 集电极(Ic)(最大值):50A 功率 - 最大值:250W 不同?Vge,Ic 时的?Vce(on):1.9V @ 15V,50A 电流 - 集电极截止(最大值):250μA 不同?Vce 时的输入电容(Cies):3.15nF @ 25V 输入:标准 NTC 热敏电阻:是 安装类型:底座安装 封装/外壳:SP3 供应商器件封装:SP3 标准包装:1 |