- 您现在的位置：买卖IC网 > PDF目录36729 > APTCV50H60T3G (MICROSEMI POWER PRODUCTS GROUP) 80 A, 600 V, N-CHANNEL IGBT PDF资料下载
参数资料
| 型号： | APTCV50H60T3G |
| 厂商： | MICROSEMI POWER PRODUCTS GROUP |
| 元件分类： | IGBT 晶体管 |
| 英文描述： | 80 A, 600 V, N-CHANNEL IGBT |
| 封装： | ROHS COMPLIANT, SP3, 25 PIN |
| 文件页数： | 4/9页 |
| 文件大小： | 348K |
| 代理商： | APTCV50H60T3G |
APTCV50H60T3G
A
P
T
C
V50H
60
T
3G
–
Re
v0
June
,2007
www.microsemi.com
4-9
Dynamic Characteristics
Symbol Characteristic
Test Conditions
Min
Typ
Max
Unit
Ciss
Input Capacitance
7.2
Crss
Reverse Transfer Capacitance
VGS = 0V ; VDS = 25V
f = 1MHz
0.29
nF
Qg
Total gate Charge
150
Qgs
Gate – Source Charge
34
Qgd
Gate – Drain Charge
VGS = 10V
VBus = 300V
ID = 49A
51
nC
Td(on)
Turn-on Delay Time
21
Tr
Rise Time
30
Td(off)
Turn-off Delay Time
100
Tf
Fall Time
Inductive Switching (125°C)
VGS = 10V
VBus = 400V
ID = 49A
RG = 4.7
45
ns
Eon
Turn-on Switching Energy
675
Eoff
Turn-off Switching Energy
Inductive switching @ 25°C
VGS = 10V ; VBus = 400V
ID = 49A ; RG = 4.7
520
J
Eon
Turn-on Switching Energy
1100
Eoff
Turn-off Switching Energy
Inductive switching @ 125°C
VGS = 10V ; VBus = 400V
ID = 49A ; RG = 4.7
635
J
RthJC
Junction to Case Thermal resistance
0.5
°C/W
3. Temperature sensor
NTC (see application note APT0406 on www.microsemi.com for more information).
Symbol Characteristic
Min
Typ
Max
Unit
R25
Resistance @ 25°C
50
k
B 25/85
T25 = 298.15 K
3952
K
=
T
B
R
T
1
exp
25
85
/
25
4. Package characteristics
Symbol Characteristic
Min
Typ
Max
Unit
VISOL
RMS Isolation Voltage, any terminal to case t =1 min, I isol<1mA, 50/60Hz
2500
V
TJ
Operating junction temperature range
-40
150*
TSTG
Storage Temperature Range
-40
125
TC
Operating Case Temperature
-40
100
°C
Torque Mounting torque
To heatsink
M4
2.5
4.7
N.m
Wt
Package Weight
110
g
Tj=175°C for Trench & Field Stop IGBT
T: Thermistor temperature
RT: Thermistor value at T
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| APTGF100A120T | 150 A, 1200 V, N-CHANNEL IGBT |
| APTGF100A120T | 150 A, 1200 V, N-CHANNEL IGBT |
| APTGF100DU120T | 150 A, 1200 V, N-CHANNEL IGBT |
| APTGF100DU120T | 150 A, 1200 V, N-CHANNEL IGBT |
| APTGF100SK120T | 150 A, 1200 V, N-CHANNEL IGBT |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| APTCV60HM45BC20T3G | 功能描述:POWER MOD IGBT3 FULL BRIDGE SP3 RoHS:是 类别:半导体模块 >> IGBT 系列:- 标准包装:10 系列:GenX3™ IGBT 类型:PT 配置:单一 电压 - 集电极发射极击穿（最大）:600V Vge, Ic时的最大Vce（开）:1.4V @ 15V，100A 电流 - 集电极 (Ic)（最大）:430A 电流 - 集电极截止（最大）:100µA Vce 时的输入电容 (Cies):31nF @ 25V 功率 - 最大:1000W 输入:标准 NTC 热敏电阻:无 安装类型:底座安装 封装/外壳:SOT-227-4，miniBLOC 供应商设备封装:SOT-227B |
| APTCV60HM45BT3G | 功能描述:POWER MOD IGBT3 FULL BRIDGE SP3 RoHS:是 类别:半导体模块 >> IGBT 系列:- 标准包装:10 系列:GenX3™ IGBT 类型:PT 配置:单一 电压 - 集电极发射极击穿（最大）:600V Vge, Ic时的最大Vce（开）:1.4V @ 15V，100A 电流 - 集电极 (Ic)（最大）:430A 电流 - 集电极截止（最大）:100µA Vce 时的输入电容 (Cies):31nF @ 25V 功率 - 最大:1000W 输入:标准 NTC 热敏电阻:无 安装类型:底座安装 封装/外壳:SOT-227-4，miniBLOC 供应商设备封装:SOT-227B |
| APTCV60HM45RCT3G | 功能描述:POWER MOD IGBT3 FULL BRIDGE SP3 RoHS:是 类别:半导体模块 >> IGBT 系列:- 标准包装:10 系列:GenX3™ IGBT 类型:PT 配置:单一 电压 - 集电极发射极击穿（最大）:600V Vge, Ic时的最大Vce（开）:1.4V @ 15V，100A 电流 - 集电极 (Ic)（最大）:430A 电流 - 集电极截止（最大）:100µA Vce 时的输入电容 (Cies):31nF @ 25V 功率 - 最大:1000W 输入:标准 NTC 热敏电阻:无 安装类型:底座安装 封装/外壳:SOT-227-4，miniBLOC 供应商设备封装:SOT-227B |
| APTCV60HM45RT3G | 功能描述:POWER MOD IGBT3 FULL BRIDGE SP3 RoHS:是 类别:半导体模块 >> IGBT 系列:- 标准包装:10 系列:GenX3™ IGBT 类型:PT 配置:单一 电压 - 集电极发射极击穿（最大）:600V Vge, Ic时的最大Vce（开）:1.4V @ 15V，100A 电流 - 集电极 (Ic)（最大）:430A 电流 - 集电极截止（最大）:100µA Vce 时的输入电容 (Cies):31nF @ 25V 功率 - 最大:1000W 输入:标准 NTC 热敏电阻:无 安装类型:底座安装 封装/外壳:SOT-227-4，miniBLOC 供应商设备封装:SOT-227B |
| APTCV60HM70BT3G | 功能描述:IGBT Module Trench Field Stop Boost Chopper, Full Bridge 600V 50A 250W Chassis Mount SP3 制造商:microsemi corporation 系列:- 零件状态:有效 IGBT 类型:沟槽型场截止 配置:升压斩波器，全桥 电压 - 集射极击穿（最大值）:600V 电流 - 集电极（Ic）（最大值）:50A 功率 - 最大值:250W 不同?Vge，Ic 时的?Vce（on）:1.9V @ 15V，50A 电流 - 集电极截止（最大值）:250μA 不同?Vce 时的输入电容（Cies）:3.15nF @ 25V 输入:标准 NTC 热敏电阻:是 安装类型:底座安装 封装/外壳:SP3 供应商器件封装:SP3 标准包装:1 |
发布紧急采购，3分钟左右您将得到回复。