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参数资料
| 型号： | APTCV50H60T3G |
| 厂商： | MICROSEMI POWER PRODUCTS GROUP |
| 元件分类： | IGBT 晶体管 |
| 英文描述： | 80 A, 600 V, N-CHANNEL IGBT |
| 封装： | ROHS COMPLIANT, SP3, 25 PIN |
| 文件页数： | 9/9页 |
| 文件大小： | 348K |
| 代理商： | APTCV50H60T3G |
APTCV50H60T3G
A
P
T
C
V50H
60
T
3G
–
Re
v0
June
,2007
www.microsemi.com
9-9
TJ=25°C
TJ=150°C
1
10
100
1000
0.30.5
0.70.9
1.11.3
1.5
VSD, Source to Drain Voltage (V)
I DR
,Re
ver
se
Dr
ai
n
Cu
rr
en
t(A)
Source to Drain Diode Forward Voltage
Delay Times vs Current
td(on)
td(off)
0
20
40
60
80
100
120
140
0
10 2030 4050 60 7080
ID, Drain Current (A)
t d(o
n
)an
d
t
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of
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s)
VDS=400V
RG=5
TJ=125°C
L=100H
Rise and Fall times vs Current
tr
tf
0
10
20
30
40
50
60
70
0
1020
3040
5060
7080
ID, Drain Current (A)
t r
an
d
t
f(n
s)
VDS=400V
RG=5
TJ=125°C
L=100H
Switching Energy vs Current
Eon
Eoff
0
0.4
0.8
1.2
1.6
2
0
1020 3040 5060 7080
ID, Drain Current (A)
Sw
it
ch
in
g
Ene
rgy
(
m
J)
VDS=400V
RG=5
TJ=125°C
L=100H
Eon
Eoff
0
0.5
1
1.5
2
2.5
0
1020
3040
50
Gate Resistance (Ohms)
Sw
it
ch
in
g
Ene
rgy
(
m
J)
Switching Energy vs Gate Resistance
VDS=400V
ID=50A
TJ=125°C
L=100H
hard
switching
ZCS
ZVS
0
50
100
150
200
250
300
5
1015 20 253035 40 4550
ID, Drain Current (A)
Fr
eq
ue
nc
y
(
kH
z)
Operating Frequency vs Drain Current
VDS=400V
D=50%
RG=5
TJ=125°C
TC=75°C
Microsemi reserves the right to change, without notice, the specifications and information contained herein
“COOLMOS comprise a new family of transistors developed by Infineon Technologies AG. “COOLMOS” is a trademark of Infineon
Technologies AG”.
Microsemi's products are covered by one or more of U.S patents 4,895,810 5,045,903 5,089,434 5,182,234 5,019,522
5,262,336 6,503,786 5,256,583 4,748,103 5,283,202 5,231,474 5,434,095 5,528,058 and foreign patents. U.S and Foreign patents pending. All Rights Reserved.
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PDF描述 |
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参数描述 |
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