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参数资料
| 型号： | APTGL180A120T3AG |
| 厂商： | MICROSEMI POWER PRODUCTS GROUP |
| 元件分类： | IGBT 晶体管 |
| 英文描述： | 230 A, 1200 V, N-CHANNEL IGBT |
| 封装： | ROHS COMPLIANT, SP3, 25 PIN |
| 文件页数： | 4/5页 |
| 文件大小： | 197K |
| 代理商： | APTGL180A120T3AG |
APTGL180A120T3AG
A
P
TGL180A120T
3A
G
–
Re
v2
M
arc
h,
2011
www.microsemi.com
4- 5
Typical Performance Curve
Output Characteristics (VGE=15V)
TJ=25°C
TJ=150°C
0
50
100
150
200
250
300
01
234
VCE (V)
I C
(A
)
Output Characteristics
VGE=15V
VGE=19V
VGE=9V
0
50
100
150
200
250
300
01234
VCE (V)
I C
(A)
TJ = 150°C
Transfert Characteristics
TJ=25°C
TJ=150°C
0
50
100
150
200
250
300
5
6
7
8
9
10
111213
VGE (V)
I C
(A
)
Energy losses vs Collector Current
Eon
Eoff
0
10
20
30
40
0
50
100
150
200
250
300
IC (A)
E
(
m
J)
VCE = 600V
VGE = 15V
RG = 3.
TJ = 150°C
Eon
Eoff
0
7.5
15
22.5
30
37.5
45
0
5
10
15
20
Gate Resistance (ohms)
E
(
m
J)
VCE = 600V
VGE =15V
IC = 150A
TJ = 150°C
Switching Energy Losses vs Gate Resistance
Reverse Bias Safe Operating Area
0
50
100
150
200
250
300
350
0
300
600
900
1200
VCE (V)
I C
(A)
VGE=15V
TJ=150°C
RG=3
maximum Effective Transient Thermal Impedance, Junction to Case vs Pulse Duration
0.9
0.7
0.5
0.3
0.1
0.05
Single Pulse
0
0.02
0.04
0.06
0.08
0.1
0.12
0.14
0.16
0.18
0.00001
0.0001
0.001
0.01
0.1
1
10
rectangular Pulse Duration (Seconds)
Th
e
rm
a
lI
m
p
e
dance
(°
C
/W
)
IGBT
相关PDF资料 |
PDF描述 |
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相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
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