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参数资料
| 型号： | APTGT50X170BTP3G |
| 厂商： | MICROSEMI POWER PRODUCTS GROUP |
| 元件分类： | IGBT 晶体管 |
| 英文描述： | 45 A, 1700 V, N-CHANNEL IGBT |
| 封装： | ROHS COMPLIANT, MODULE-35 |
| 文件页数： | 6/8页 |
| 文件大小： | 302K |
| 代理商： | APTGT50X170BTP3G |
APTGT50X170RTP3G
APTGT50X170BTP3G
A
P
T
G
T
50
X
170B
T
P
3G
–
R
ev
2
M
ay,
2007
www.microsemi.com
6 - 8
Forward Characteristic of diode
T
J=25°C
TJ=125°C
T
J=125°C
0
10
20
30
40
50
60
70
80
90
100
00.5
1
1.5
22.5
3
VF (V)
I F
(A
)
hard
switching
0
3
5
8
10
13
0
1020
30
405060
7080
IC (A)
Fm
ax
,O
p
er
a
ti
ng
Fr
eque
nc
y(
kH
z)
V
CE=900V
D=50%
R
G=10
T
J=125°C
TC=75°C
Operating Frequency vs Collector Current
maximum Effective Transient Thermal Impedance, Junction to Case vs Pulse Duration
0.9
0.7
0.5
0.3
0.1
0.05
Single Pulse
0
0.1
0.2
0.3
0.4
0.5
0.6
0.7
0.8
0.00001
0.0001
0.001
0.01
0.1
1
10
rectangular Pulse Duration (Seconds)
The
rm
al
I
m
pe
da
nc
e
(°
C
/W
)
Diode
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
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| APTGT50X170BTP3 | 70 A, 1700 V, N-CHANNEL IGBT |
| APTGT50X170RTP3 | 70 A, 1200 V, N-CHANNEL IGBT |
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相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| APTGT50X170BTPG | 制造商:Microsemi Corporation 功能描述:POWER IGBT TRANSISTOR |
| APTGT50X170RTP3 | 制造商:ADPOW 制造商全称:Advanced Power Technology 功能描述:Input rectifier bridge + Brake + 3 Phase Bridge Trench IGBT Power Module |
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