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参数资料
| 型号： | APTGT50X170BTP3G |
| 厂商： | MICROSEMI POWER PRODUCTS GROUP |
| 元件分类： | IGBT 晶体管 |
| 英文描述： | 45 A, 1700 V, N-CHANNEL IGBT |
| 封装： | ROHS COMPLIANT, MODULE-35 |
| 文件页数： | 7/8页 |
| 文件大小： | 302K |
| 代理商： | APTGT50X170BTP3G |
APTGT50X170RTP3G
APTGT50X170BTP3G
A
P
T
G
T
50
X
170B
T
P
3G
–
R
ev
2
M
ay,
2007
www.microsemi.com
7 - 8
Brake Typical Performance Curve (only for APTGT50X170BTP3G)
Output Characteristics (VGE=15V)
TJ=25°C
TJ=125°C
0
10
20
30
40
50
60
00.5
11.5
2
2.533.5
4
VCE (V)
I C
(A
)
Output Characteristics
VGE=15V
VGE=13V
VGE=19V
VGE=9V
0
10
20
30
40
50
60
012
345
VCE (V)
I C
(A
)
TJ = 125°C
Transfert Characteristics
TJ=25°C
TJ=125°C
0
10
20
30
40
50
60
56
789
10
11
VGE (V)
I C
(A
)
Energy losses vs Collector Current
Eon
Eoff
Er
0
5
10
15
20
25
30
35
40
0
204060
80
100
IC (A)
E
(
m
J)
VCE = 900V
VGE = 15V
RG = 18
TJ = 125°C
Eon
Eoff
Er
0
20
40
60
80
0
20
406080
100
120
Gate Resistance (ohms)
E
(
m
J
)
VCE = 900V
VGE =15V
IC = 30A
TJ = 125°C
Switching Energy Losses vs Gate Resistance
Reverse Bias Safe Operating Area
0
10
20
30
40
50
60
70
0
400
800
1200
1600
VCE (V)
I C
(A
)
VGE=15V
TJ=125°C
RG=18
maximum Effective Transient Thermal Impedance, Junction to Case vs Pulse Duration
0.9
0.7
0.5
0.3
0.1
0.05
Single Pulse
0
0.1
0.2
0.3
0.4
0.5
0.6
0.7
0.00001
0.0001
0.001
0.01
0.1
1
10
rectangular Pulse Duration (Seconds)
T
h
e
rm
a
lI
m
pe
da
nc
e(
°C
/W
)
IGBT
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| APTGT50X170RTP3 | 70 A, 1200 V, N-CHANNEL IGBT |
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相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
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