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参数资料
| 型号： | APTGT75X60T3G |
| 厂商： | MICROSEMI POWER PRODUCTS GROUP |
| 元件分类： | IGBT 晶体管 |
| 英文描述： | 100 A, 600 V, N-CHANNEL IGBT |
| 封装： | ROHS COMPLIANT, SP3, 25 PIN |
| 文件页数： | 1/5页 |
| 文件大小： | 271K |
| 代理商： | APTGT75X60T3G |
APTGT75X60T3G
A
P
TGT75X60T3G
–
Re
v0
Ju
ly,
20
07
www.microsemi.com
1- 5
Absolute maximum ratings
Symbol
Parameter
Max ratings
Unit
VCES
Collector - Emitter Breakdown Voltage
600
V
TC = 25°C
100*
IC
Continuous Collector Current
TC = 80°C
75*
ICM
Pulsed Collector Current
TC = 25°C
150
A
VGE
Gate – Emitter Voltage
±20
V
PD
Maximum Power Dissipation
TC = 25°C
250
W
RBSOA Reverse Bias Safe Operating Area
TJ = 150°C
150A @ 550V
* Specification of IGBT device but output current must be limited to 40A at Tc=80°C and 65A at Tc=25°C not to
exceed a connectors temperature greater than 120°C.
These Devices are sensitive to Electrostatic Discharge. Proper Handling Procedures Should Be Followed. See application note
APT0502 on www.microsemi.com
31
14
R1
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2
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19
10
18
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30
29
3
4
8
7
11
12
It is recommended to connect a decoupling capacitor
between pins 31 & 2 to reduce switching overvoltages, if DC
Power is connected between pins 15, 16 & 12.
Pins 15 & 16 must be shorted together.
16
15
18
20
23 22
13
11 12
14
8
7
29
30
28 27 26
3
32
31
10
19
2
25
4
VCES = 600V
IC = 75A* @ Tc = 80°C
Application
Motor control
Features
Trench + Field Stop IGBT Technology
- Low voltage drop
- Low tail current
- Switching frequency up to 20 kHz
- Soft recovery parallel diodes
- Low diode VF
- Low leakage current
- RBSOA and SCSOA rated
Kelvin emitter for easy drive
Very low stray inductance
High level of integration
Internal thermistor for temperature monitoring
Benefits
Outstanding performance at high frequency
operation
Direct mounting to heatsink (isolated package)
Low junction to case thermal resistance
Solderable terminals both for power and signal
for easy PCB mounting
Low profile
RoHS compliant
3 Phase bridge
Trench + Field Stop IGBT
Power Module
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| APTGU100DH60 | 145 A, 600 V, N-CHANNEL IGBT |
| APTGU140DA60T | 200 A, 600 V, N-CHANNEL IGBT |
| APTGU140DU60T | 200 A, 600 V, N-CHANNEL IGBT |
| APTGU180A120 | 250 A, 1200 V, N-CHANNEL IGBT |
| APTGU180DU120 | 250 A, 1200 V, N-CHANNEL IGBT |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| APTGTQ100A65T1G | 功能描述:POWER MODULE - IGBT 制造商:microsemi corporation 系列:- 零件状态:在售 IGBT 类型:- 配置:半桥 电压 - 集射极击穿（最大值）:650V 电流 - 集电极（Ic）（最大值）:100A 功率 - 最大值:250W 不同?Vge，Ic 时的?Vce（on）:2.2V @ 15V，100A 电流 - 集电极截止（最大值）:100μA 不同?Vce 时的输入电容（Cies）:6nF @ 25V 输入:标准 NTC 热敏电阻:是 工作温度:-40°C ~ 175°C（TJ） 安装类型:底座安装 封装/外壳:模块 供应商器件封装:SP1 标准包装:1 |
| APTGTQ100DA65T1G | 功能描述:POWER MODULE - IGBT 制造商:microsemi corporation 系列:- 零件状态:在售 IGBT 类型:- 配置:升压斩波器 电压 - 集射极击穿（最大值）:650V 电流 - 集电极（Ic）（最大值）:100A 功率 - 最大值:250W 不同?Vge，Ic 时的?Vce（on）:2.2V @ 15V，100A 电流 - 集电极截止（最大值）:100μA 不同?Vce 时的输入电容（Cies）:6nF @ 25V 输入:标准 NTC 热敏电阻:是 工作温度:-40°C ~ 175°C（TJ） 安装类型:底座安装 封装/外壳:模块 供应商器件封装:SP1 标准包装:1 |
| APTGTQ100DDA65T3G | 功能描述:POWER MODULE - IGBT 制造商:microsemi corporation 系列:- 零件状态:在售 IGBT 类型:- 配置:双路升压斩波器 电压 - 集射极击穿（最大值）:650V 电流 - 集电极（Ic）（最大值）:100A 功率 - 最大值:250W 不同?Vge，Ic 时的?Vce（on）:2.2V @ 15V，100A 电流 - 集电极截止（最大值）:100μA 不同?Vce 时的输入电容（Cies）:6nF @ 25V 输入:标准 NTC 热敏电阻:是 工作温度:-40°C ~ 175°C（TJ） 安装类型:底座安装 封装/外壳:模块 供应商器件封装:SP3F 标准包装:1 |
| APTGTQ100H65T3G | 功能描述:POWER MODULE - IGBT 制造商:microsemi corporation 系列:- 零件状态:在售 IGBT 类型:- 配置:全桥 电压 - 集射极击穿（最大值）:650V 电流 - 集电极（Ic）（最大值）:100A 功率 - 最大值:250W 不同?Vge，Ic 时的?Vce（on）:2.2V @ 15V，100A 电流 - 集电极截止（最大值）:100μA 不同?Vce 时的输入电容（Cies）:6nF @ 25V 输入:标准 NTC 热敏电阻:是 工作温度:-40°C ~ 175°C（TJ） 安装类型:底座安装 封装/外壳:模块 供应商器件封装:SP3F 标准包装:1 |
| APTGTQ100SK65T1G | 功能描述:POWER MODULE - IGBT 制造商:microsemi corporation 系列:- 零件状态:在售 IGBT 类型:- 配置:降压斩波器 电压 - 集射极击穿（最大值）:650V 电流 - 集电极（Ic）（最大值）:100A 功率 - 最大值:250W 不同?Vge，Ic 时的?Vce（on）:2.2V @ 15V，100A 电流 - 集电极截止（最大值）:100μA 不同?Vce 时的输入电容（Cies）:6nF @ 25V 输入:标准 NTC 热敏电阻:是 工作温度:-40°C ~ 175°C（TJ） 安装类型:底座安装 封装/外壳:模块 供应商器件封装:SP1 标准包装:1 |
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