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参数资料
| 型号： | APTGT75X60T3G |
| 厂商： | MICROSEMI POWER PRODUCTS GROUP |
| 元件分类： | IGBT 晶体管 |
| 英文描述： | 100 A, 600 V, N-CHANNEL IGBT |
| 封装： | ROHS COMPLIANT, SP3, 25 PIN |
| 文件页数： | 2/5页 |
| 文件大小： | 271K |
| 代理商： | APTGT75X60T3G |
APTGT75X60T3G
A
P
TGT75X60T3G
–
Re
v0
Ju
ly,
20
07
www.microsemi.com
2- 5
All ratings @ Tj = 25°C unless otherwise specified
Electrical Characteristics
Symbol Characteristic
Test Conditions
Min
Typ
Max
Unit
ICES
Zero Gate Voltage Collector Current
VGE = 0V, VCE = 600V
250
A
Tj = 25°C
1.5
1.9
VCE(sat)
Collector Emitter Saturation Voltage
VGE =15V
IC = 75A
Tj = 150°C
1.7
V
VGE(th)
Gate Threshold Voltage
VGE = VCE, IC = 600A
5.0
5.8
6.5
V
IGES
Gate – Emitter Leakage Current
VGE = 20V, VCE = 0V
600
nA
Dynamic Characteristics
Symbol Characteristic
Test Conditions
Min
Typ
Max
Unit
Cies
Input Capacitance
4620
Coes
Output Capacitance
300
Cres
Reverse Transfer Capacitance
VGE = 0V
VCE = 25V
f = 1MHz
140
pF
Td(on)
Turn-on Delay Time
110
Tr
Rise Time
45
Td(off)
Turn-off Delay Time
200
Tf
Fall Time
Inductive Switching (25°C)
VGE = ±15V
VBus = 300V
IC = 75A
RG = 4.7
40
ns
Td(on)
Turn-on Delay Time
120
Tr
Rise Time
50
Td(off)
Turn-off Delay Time
250
Tf
Fall Time
Inductive Switching (150°C)
VGE = ±15V
VBus = 300V
IC = 75A
RG = 4.7
60
ns
Tj = 25°C
0.35
Eon
Turn-on Switching Energy
Tj = 150°C
0.6
mJ
Tj = 25°C
2.2
Eoff
Turn-off Switching Energy
VGE = ±15V
VBus = 300V
IC = 75A
RG = 4.7
Tj = 150°C
2.6
mJ
Reverse diode ratings and characteristics
Symbol Characteristic
Test Conditions
Min
Typ
Max
Unit
VRRM
Maximum Peak Repetitive Reverse Voltage
600
V
Tj = 25°C
250
IRM
Maximum Reverse Leakage Current
VR=600V
Tj = 150°C
500
A
IF
DC Forward Current
Tc = 80°C
50
A
Tj = 25°C
1.6
2
VF
Diode Forward Voltage
IF = 50A
VGE = 0V
Tj = 150°C
1.5
V
Tj = 25°C
100
trr
Reverse Recovery Time
Tj = 150°C
150
ns
Tj = 25°C
2.6
Qrr
Reverse Recovery Charge
Tj = 150°C
5.4
C
Tj = 25°C
0.6
Er
Reverse Recovery Energy
IF = 50A
VR = 300V
di/dt =1800A/s
Tj = 150°C
1.2
mJ
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