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参数资料
| 型号： | APTGT75X60T3G |
| 厂商： | MICROSEMI POWER PRODUCTS GROUP |
| 元件分类： | IGBT 晶体管 |
| 英文描述： | 100 A, 600 V, N-CHANNEL IGBT |
| 封装： | ROHS COMPLIANT, SP3, 25 PIN |
| 文件页数： | 5/5页 |
| 文件大小： | 271K |
| 代理商： | APTGT75X60T3G |
APTGT75X60T3G
A
P
TGT75X60T3G
–
Re
v0
Ju
ly,
20
07
www.microsemi.com
5- 5
Forward Characteristic of diode
TJ=25°C
TJ=125°C
TJ=150°C
0
25
50
75
100
0
0.4
0.8
1.2
1.6
2
2.4
VF (V)
I F
(A)
Hard
switching
0
10
20
30
40
50
60
70
0
2040
6080
100
IC (A)
F
m
ax
,O
p
er
at
in
g
F
re
q
u
en
cy
(k
H
z)
VCE=300V
D=50%
RG=4.7
TJ=150°C
Tc=85°C
Operating Frequency vs Collector Current
maximum Effective Transient Thermal Impedance, Junction to Case vs Pulse Duration
0.9
0.7
0.5
0.3
0.1
0.05
Single Pulse
0
0.2
0.4
0.6
0.8
1
1.2
1.4
1.6
0.00001
0.0001
0.001
0.01
0.1
1
10
Rectangular Pulse Duration in Seconds
Th
erm
al
I
m
p
edance
(°C/
W)
Diode
Microsemi reserves the right to change, without notice, the specifications and information contained herein
Microsemi's products are covered by one or more of U.S patents 4,895,810 5,045,903 5,089,434 5,182,234 5,019,522
5,262,336 6,503,786 5,256,583 4,748,103 5,283,202 5,231,474 5,434,095 5,528,058 and foreign patents. U.S and Foreign patents pending. All Rights Reserved.
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| APTGU100DH60 | 145 A, 600 V, N-CHANNEL IGBT |
| APTGU140DA60T | 200 A, 600 V, N-CHANNEL IGBT |
| APTGU140DU60T | 200 A, 600 V, N-CHANNEL IGBT |
| APTGU180A120 | 250 A, 1200 V, N-CHANNEL IGBT |
| APTGU180DU120 | 250 A, 1200 V, N-CHANNEL IGBT |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| APTGTQ100A65T1G | 功能描述:POWER MODULE - IGBT 制造商:microsemi corporation 系列:- 零件状态:在售 IGBT 类型:- 配置:半桥 电压 - 集射极击穿（最大值）:650V 电流 - 集电极（Ic）（最大值）:100A 功率 - 最大值:250W 不同?Vge，Ic 时的?Vce（on）:2.2V @ 15V，100A 电流 - 集电极截止（最大值）:100μA 不同?Vce 时的输入电容（Cies）:6nF @ 25V 输入:标准 NTC 热敏电阻:是 工作温度:-40°C ~ 175°C（TJ） 安装类型:底座安装 封装/外壳:模块 供应商器件封装:SP1 标准包装:1 |
| APTGTQ100DA65T1G | 功能描述:POWER MODULE - IGBT 制造商:microsemi corporation 系列:- 零件状态:在售 IGBT 类型:- 配置:升压斩波器 电压 - 集射极击穿（最大值）:650V 电流 - 集电极（Ic）（最大值）:100A 功率 - 最大值:250W 不同?Vge，Ic 时的?Vce（on）:2.2V @ 15V，100A 电流 - 集电极截止（最大值）:100μA 不同?Vce 时的输入电容（Cies）:6nF @ 25V 输入:标准 NTC 热敏电阻:是 工作温度:-40°C ~ 175°C（TJ） 安装类型:底座安装 封装/外壳:模块 供应商器件封装:SP1 标准包装:1 |
| APTGTQ100DDA65T3G | 功能描述:POWER MODULE - IGBT 制造商:microsemi corporation 系列:- 零件状态:在售 IGBT 类型:- 配置:双路升压斩波器 电压 - 集射极击穿（最大值）:650V 电流 - 集电极（Ic）（最大值）:100A 功率 - 最大值:250W 不同?Vge，Ic 时的?Vce（on）:2.2V @ 15V，100A 电流 - 集电极截止（最大值）:100μA 不同?Vce 时的输入电容（Cies）:6nF @ 25V 输入:标准 NTC 热敏电阻:是 工作温度:-40°C ~ 175°C（TJ） 安装类型:底座安装 封装/外壳:模块 供应商器件封装:SP3F 标准包装:1 |
| APTGTQ100H65T3G | 功能描述:POWER MODULE - IGBT 制造商:microsemi corporation 系列:- 零件状态:在售 IGBT 类型:- 配置:全桥 电压 - 集射极击穿（最大值）:650V 电流 - 集电极（Ic）（最大值）:100A 功率 - 最大值:250W 不同?Vge，Ic 时的?Vce（on）:2.2V @ 15V，100A 电流 - 集电极截止（最大值）:100μA 不同?Vce 时的输入电容（Cies）:6nF @ 25V 输入:标准 NTC 热敏电阻:是 工作温度:-40°C ~ 175°C（TJ） 安装类型:底座安装 封装/外壳:模块 供应商器件封装:SP3F 标准包装:1 |
| APTGTQ100SK65T1G | 功能描述:POWER MODULE - IGBT 制造商:microsemi corporation 系列:- 零件状态:在售 IGBT 类型:- 配置:降压斩波器 电压 - 集射极击穿（最大值）:650V 电流 - 集电极（Ic）（最大值）:100A 功率 - 最大值:250W 不同?Vge，Ic 时的?Vce（on）:2.2V @ 15V，100A 电流 - 集电极截止（最大值）:100μA 不同?Vce 时的输入电容（Cies）:6nF @ 25V 输入:标准 NTC 热敏电阻:是 工作温度:-40°C ~ 175°C（TJ） 安装类型:底座安装 封装/外壳:模块 供应商器件封装:SP1 标准包装:1 |
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