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参数资料
| 型号： | APTGV15H120T3G |
| 厂商： | MICROSEMI POWER PRODUCTS GROUP |
| 元件分类： | IGBT 晶体管 |
| 英文描述： | 25 A, 1200 V, N-CHANNEL IGBT |
| 封装： | ROHS COMPLIANT, SP3, 25 PIN |
| 文件页数： | 2/9页 |
| 文件大小： | 366K |
| 代理商： | APTGV15H120T3G |
APTGV15H120T3G
A
P
TG
V15H
120
T
3G
–
Re
v0
June
,2007
www.microsemi.com
2-9
All ratings @ Tj = 25°C unless otherwise specified
1. Top switches
1.1 Top Trench + Field Stop IGBT characteristics
Absolute maximum ratings
Symbol
Parameter
Max ratings
Unit
VCES
Collector - Emitter Breakdown Voltage
1200
V
TC = 25°C
25
IC
Continuous Collector Current
TC = 80°C
15
ICM
Pulsed Collector Current
TC = 25°C
30
A
VGE
Gate – Emitter Voltage
±20
V
PD
Maximum Power Dissipation
TC = 25°C
115
W
RBSOA Reverse Bias Safe Operation Area
Tj = 125°C
30A @ 1150V
Electrical Characteristics
Symbol Characteristic
Test Conditions
Min
Typ
Max
Unit
ICES
Zero Gate Voltage Collector Current
VGE = 0V, VCE = 1200V
250
A
Tj = 25°C
1.7
2.1
VCE(sat)
Collector Emitter Saturation Voltage
VGE = 15V
IC = 15A
Tj = 125°C
2.0
V
VGE(th)
Gate Threshold Voltage
VGE = VCE , IC = 0.6mA
5.0
5.8
6.5
V
IGES
Gate – Emitter Leakage Current
VGE = 20V, VCE = 0V
400
nA
Dynamic Characteristics
Symbol Characteristic
Test Conditions
Min
Typ
Max
Unit
Cies
Input Capacitance
1100
Cres
Reverse Transfer Capacitance
VGE = 0V, VCE = 25V
f = 1MHz
90
pF
Td(on)
Turn-on Delay Time
90
Tr
Rise Time
30
Td(off)
Turn-off Delay Time
420
Tf
Fall Time
Inductive Switching (25°C)
VGE = ±15V
VBus = 600V
IC = 15A
RG = 62
80
ns
Td(on)
Turn-on Delay Time
90
Tr
Rise Time
30
Td(off)
Turn-off Delay Time
520
Tf
Fall Time
Inductive Switching (125°C)
VGE = ±15V
VBus = 600V
IC = 15A
RG = 62
120
ns
Tj = 25°C
1.15
Eon
Turn-on Switching Energy
Tj = 125°C
1.5
Tj = 25°C
1.15
Eoff
Turn-off Switching Energy
VGE = ±15V
VBus = 600V
IC = 15A
RG = 62
Tj = 125°C
1.8
mJ
RthJC
Junction to Case Thermal resistance
1.3
°C/W
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| APTGV25H120T3G | 40 A, 1200 V, N-CHANNEL IGBT |
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| APTGV50H60T3G | 80 A, 600 V, N-CHANNEL IGBT |
| APTM100A13S | 65 A, 1000 V, 0.156 ohm, 2 CHANNEL, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET |
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相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
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