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参数资料
型号： APTGV15H120T3G
厂商： MICROSEMI POWER PRODUCTS GROUP
元件分类： IGBT 晶体管
英文描述： 25 A, 1200 V, N-CHANNEL IGBT
封装： ROHS COMPLIANT, SP3, 25 PIN
文件页数： 9/9页
文件大小： 366K
代理商： APTGV15H120T3G
APTGV15H120T3G
A
P
TG
V15H
120
T
3G
–
Re
v0
June
,2007
www.microsemi.com
9-9
Cies
Cres
Coes
10
100
1000
10000
0
10
2030
4050
C
,Cap
aci
tan
ce
(p
F
)
Capacitance vs Collector to Emitter Voltage
VCE, Collector to Emitter Voltage (V)
0.9
0.7
0.5
0.3
0.1
0.05
Single Pulse
0
0.2
0.4
0.6
0.8
1
0.00001
0.0001
0.001
0.01
0.1
1
10
Rectangular Pulse Duration (Seconds)
The
rma
lI
m
pe
da
nc
e(
°C
/W
)
Maximum Effective Transient Thermal Impedance, Junction to Case vs Pulse Duration
Hard
switching
ZCS
ZVS
0
20
40
60
80
100
120
0
5
10
15
20
25
IC, Collector Current (A)
Operating Frequency vs Collector Current
F
m
ax,
Op
erati
n
g
Freq
u
en
cy
(kHz
)
VCE = 600V
D = 50%
RG = 33
TJ = 125°C
TC= 75°C
7.2 Bottom diode typical performance curves
T
J=-55°C
T
J=25°C
T
J=125°C
0
10
20
30
40
50
01
2
3
4
5
V
F, Anode to Cathode Voltage (V)
I F
,F
o
rw
ar
d
C
u
rr
en
t(
A
)
Forw ard Current vs Forw ard Voltage
0.9
0.7
0.5
0.3
0.1
0.05
Single Pulse
0
0.4
0.8
1.2
1.6
2
2.4
0.00001
0.0001
0.001
0.01
0.1
1
10
Rectangular Pulse Duration (Seconds)
Th
er
m
al
Im
pe
da
n
ce
(°
C
/W
)
Maximum Effective Transient Therm al Im pedance, Junction to Case vs Pulse Duration
Microsemi reserves the right to change, without notice, the specifications and information contained herein
Microsemi's products are covered by one or more of U.S patents 4,895,810 5,045,903 5,089,434 5,182,234 5,019,522
5,262,336 6,503,786 5,256,583 4,748,103 5,283,202 5,231,474 5,434,095 5,528,058 and foreign patents. U.S and Foreign patents pending. All Rights Reserved.
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PDF描述
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APTM100A13S 65 A, 1000 V, 0.156 ohm, 2 CHANNEL, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET
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参数描述
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APTGV25H120T3G 功能描述:IGBT NPT BST CHOP FULL BRDG SP3 RoHS:是 类别:半导体模块 >> IGBT 系列:- 标准包装:10 系列:GenX3™ IGBT 类型:PT 配置:单一 电压 - 集电极发射极击穿（最大）:600V Vge, Ic时的最大Vce（开）:1.4V @ 15V，100A 电流 - 集电极 (Ic)（最大）:430A 电流 - 集电极截止（最大）:100µA Vce 时的输入电容 (Cies):31nF @ 25V 功率 - 最大:1000W 输入:标准 NTC 热敏电阻:无 安装类型:底座安装 封装/外壳:SOT-227-4，miniBLOC 供应商设备封装:SOT-227B
APTGV30H60T3G 功能描述:IGBT NPT BST CHOP FULL BRDG SP3 RoHS:是 类别:半导体模块 >> IGBT 系列:- 标准包装:10 系列:GenX3™ IGBT 类型:PT 配置:单一 电压 - 集电极发射极击穿（最大）:600V Vge, Ic时的最大Vce（开）:1.4V @ 15V，100A 电流 - 集电极 (Ic)（最大）:430A 电流 - 集电极截止（最大）:100µA Vce 时的输入电容 (Cies):31nF @ 25V 功率 - 最大:1000W 输入:标准 NTC 热敏电阻:无 安装类型:底座安装 封装/外壳:SOT-227-4，miniBLOC 供应商设备封装:SOT-227B
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