参数资料
型号: APTGV15H120T3G
厂商: MICROSEMI POWER PRODUCTS GROUP
元件分类: IGBT 晶体管
英文描述: 25 A, 1200 V, N-CHANNEL IGBT
封装: ROHS COMPLIANT, SP3, 25 PIN
文件页数: 9/9页
文件大小: 366K
代理商: APTGV15H120T3G
APTGV15H120T3G
A
P
TG
V15H
120
T
3G
Re
v0
June
,2007
www.microsemi.com
9-9
Cies
Cres
Coes
10
100
1000
10000
0
10
2030
4050
C
,Cap
aci
tan
ce
(p
F
)
Capacitance vs Collector to Emitter Voltage
VCE, Collector to Emitter Voltage (V)
0.9
0.7
0.5
0.3
0.1
0.05
Single Pulse
0
0.2
0.4
0.6
0.8
1
0.00001
0.0001
0.001
0.01
0.1
1
10
Rectangular Pulse Duration (Seconds)
The
rma
lI
m
pe
da
nc
e(
°C
/W
)
Maximum Effective Transient Thermal Impedance, Junction to Case vs Pulse Duration
Hard
switching
ZCS
ZVS
0
20
40
60
80
100
120
0
5
10
15
20
25
IC, Collector Current (A)
Operating Frequency vs Collector Current
F
m
ax,
Op
erati
n
g
Freq
u
en
cy
(kHz
)
VCE = 600V
D = 50%
RG = 33
TJ = 125°C
TC= 75°C
7.2 Bottom diode typical performance curves
T
J=-55°C
T
J=25°C
T
J=125°C
0
10
20
30
40
50
01
2
3
4
5
V
F, Anode to Cathode Voltage (V)
I F
,F
o
rw
ar
d
C
u
rr
en
t(
A
)
Forw ard Current vs Forw ard Voltage
0.9
0.7
0.5
0.3
0.1
0.05
Single Pulse
0
0.4
0.8
1.2
1.6
2
2.4
0.00001
0.0001
0.001
0.01
0.1
1
10
Rectangular Pulse Duration (Seconds)
Th
er
m
al
Im
pe
da
n
ce
C
/W
)
Maximum Effective Transient Therm al Im pedance, Junction to Case vs Pulse Duration
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